[发明专利]氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统

权利要求书

1.一种氧化物层，其具备仅由铋(Bi)与铌(Nb)和氧形成且可包含不可避免的杂质的氧化物层，

所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相，

在俯视所述氧化物层时，所述烧绿石型结晶结构的结晶相以粒状或岛状分布，

所述烧绿石型结晶结构是与(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7相同或大致相同的结构。

2.根据权利要求1所述的氧化物层，其中，

所述氧化物层还具有非晶相。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物层，其中，

所述氧化物层的碳含有率为1.5atm％以下。

4.一种电容器，其具备权利要求1至3中任一项所述的氧化物层。

5.一种半导体装置，其具备权利要求1至3中任一项所述的氧化物层。

6.一种微机电系统，其具备权利要求1至3中任一项所述的氧化物层。

7.一种氧化物层的制造方法，其包括形成所述氧化物层的工序，

在形成所述氧化物层的工序中，通过在含氧气氛中，以520℃以上且小于600℃对将前驱体溶液作为起始材料的前驱体层进行加热，形成所述氧化物层，其中，所述前驱体溶液将包含铋(Bi)的前驱体及包含铌(Nb)的前驱体作为溶质，所述氧化物层仅由所述铋(Bi)与所述铌(Nb)和氧形成且具有烧绿石型结晶结构的结晶相，并且可包含不可避免的杂质，所述烧绿石型结晶结构的结晶相以在俯视所述氧化物层时，分布成粒状或岛状的方式形成。

8.根据权利要求7所述的氧化物层的制造方法，其中，

在形成所述氧化物层之前，通过在含氧气氛中以80℃以上300℃以下的温度加热所述前驱体层的状态下对所述前驱体层实施压模加工，形成所述前驱体层的压模结构。

9.根据权利要求8所述的氧化物层的制造方法，其中，

以在1MPa以上20MPa以下的范围内的压力实施所述压模加工。

10.根据权利要求8或9所述的氧化物层的制造方法，其中，

使用事先加热至80℃以上300℃以下范围内的温度的模来实施所述压模加工。