[发明专利]氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体用氮化硅粉末以及氮化物荧光体有效
申请号: | 201480011774.2 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN105008486B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 岩下和树;隅野真央;上田孝之;藤永昌孝;治田慎辅 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C04B35/584;C04B35/626;C09K11/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 荧光 制造 方法 体用 氮化 粉末 以及 | ||
1.氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,以成为组成式(1)所示的组合物的氮以外的构成元素之比的方式,将氮化硅粉末、成为钙源的物质、成为锶源的物质、成为铕源的物质和成为铝源的物质混合、烧成,该氮化硅粉末的比表面积为5~35m2/g,将从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧的含有比例设为FSO,将从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧的含有比例设为FIO,将比表面积设为FS的情况下,FS/FSO为8~53,FS/FIO为20以上,
(Ca1-x1-x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c····(1)
式中,0.49<x1<1.0、0.0<x2<0.02、0.9≦a≦1.1、0.9≦b≦1.1、0.9≦c≦1.1
FSO及FIO的单位是质量%,FS的单位是m2/g,FS/FSO及FS/FIO的单位是(m2/g)/(质量%)。
2.权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,上述x1和x2为0.69<x1<1.00、0.00<x2<0.01。
3.权利要求2所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,上述a、b和c为a=1、b=1和c=1。
4.权利要求1~3的任一项所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,氮化物荧光体为由组成式(1’)表示的组合物,
(Ca1-x1’-x2’Srx1’Eux2’)a’Alb’Sic’N2a’/3+b’+4/3c’·····(1’)
式中,0.49<x1’<1.0、0.0<x2’<0.02、0.9≦a’≦1.1、0.9≦b’≦1.1、0.9≦c’≦1.1。
5.权利要求4所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,上述x1’和x2’为0.69<x1’<1.00、0.00<x2’<0.01。
6.权利要求5所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,上述a’、b’和c’为a’=1、b’=1和c’=1。
7.权利要求4所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.9以上。
8.权利要求5所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.9以上。
9.权利要求6所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.9以上。
10.权利要求7所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.94以上。
11.权利要求8所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.94以上。
12.权利要求9所述的氮化物荧光体的制造方法,其特征在于,比率x1’/x1为0.94以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇部兴产株式会社,未经宇部兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480011774.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单环芳香族烃的制造方法
- 下一篇:太阳电池保护片及太阳电池模块