[发明专利]电光装置用基板、电光装置、电子设备及电光装置用基板的制造方法

权利要求书

1.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

透射光的基板，其具有第1面和与上述第1面相向的第2面，第1斜面及第2斜面以从上述第1面朝向上述第2面的方式配置；

覆盖上述第1斜面及上述第2斜面的第1绝缘膜；

槽部，其具有覆盖上述第1斜面的上述第1绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖上述第2斜面的上述第1绝缘膜的表面即第4斜面，沿着从上述第2面侧朝向上述第1面侧的方向变宽；以及

覆盖上述槽部及上述第1绝缘膜的第2绝缘膜，

上述第2绝缘膜的覆盖上述槽部的部分的一部分，与上述第3斜面具有间隔，

上述第2斜面配置在上述第1斜面的上述第1面侧，

上述第2斜面与上述第1面的法线所成的角度，比上述第1斜面与上述法线所成的角度大。

2.权利要求1所述的电光装置用基板，其特征在于，

上述第1斜面与上述法线所成的角度处于1度到3度的范围，上述第2斜面与上述法线所成的角度处于4度到7度的范围。

3.权利要求2所述的电光装置用基板，其特征在于，

上述第3斜面与上述法线所成的角度比3度小。

4.权利要求3所述的电光装置用基板，其特征在于，

上述第3斜面包括：以相对于与上述第1面正交的面呈面对称的方式配置的斜面，

以呈上述面对称的方式配置的斜面在从上述第1面侧朝向上述第2面侧的方向相连。

5.权利要求1至4的任一项所述的电光装置用基板，其特征在于，

上述第1绝缘膜是通过采用四乙氧基硅烷气体的等离子CVD而形成的氧化硅。

6.权利要求1至5的任一项所述的电光装置用基板，其特征在于，

上述基板、上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜具有大致相同的折射率，

由上述槽部和上述第2绝缘膜包围的区域的折射率比上述基板的折射率小。

7.一种电光装置，其特征在于，具备：

具有像素电极和驱动上述像素电极的晶体管的第1基板；和

与上述第1基板相向配置的第2基板，

上述第1基板及上述第2基板的至少一方具备权利要求1至6的任一项所述的电光装置用基板。

8.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求7所述的电光装置。

9.一种电光装置用基板的制造方法，是权利要求1至6的任一项所述的电光装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：

在上述基板的上述第1面沉积掩模的工序；

对上述掩模实施各向异性刻蚀，形成由壁面包围并使上述基板露出的开口部的工序；

一边以使上述壁面后退的方式刻蚀上述掩模，一边对在上述开口部露出的上述基板实施各向异性刻蚀的工序；

去除上述掩模的工序；以及

通过采用四乙氧基硅烷气体的等离子CVD来沉积氧化硅，来形成上述槽部的工序。

10.权利要求9所述的电光装置用基板的制造方法，其特征在于，

上述基板的构成材料是石英，

上述掩模的构成材料是硅化钨或硅的任一种。

11.一种电光装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的第1面沉积掩模的工序；

在上述掩模形成开口部的工序；

对上述基板从上述开口部侧实施各向异性刻蚀，形成具有第1斜面及第2斜面的第1槽的工序；

去除上述掩模的工序；

形成覆盖上述第1斜面及上述第2斜面的第1绝缘膜的工序；以及

形成覆盖上述第1槽及第1绝缘膜的第2绝缘膜的工序，

上述第2斜面配置于上述第1斜面的上述第1面侧，

上述第2绝缘膜的覆盖上述槽的部分的一部分，与覆盖上述第1斜面的上述第1绝缘膜的表面即第3斜面具有间隔，

上述第2斜面与上述第1面的法线之间的角度，比上述第1斜面与上述法线之间的角度大。