[发明专利]锂二次电池

说明书

技术领域

本发明涉及锂二次电池及其制造方法。

背景技术

至今已经提出了多种锂二次电池。例如，专利文献1公开了一种非水电解质二次电池，其在负极表面上包含经XPS分析在162.9～164.0eV处具有峰的物质，其中，当对源自负极表面的XPS分析的光电子谱实施峰分割时，碳浓度Cc(原子％)与硫浓度Cs(原子％)之比(Cc/Cs)为5～50；且硫浓度Cs(原子％)和在162.9～164.0eV处具有峰的物质的浓度C_S164之比(Cs₁₆₄/Cs)为0.001～0.2；在162.9～164.0eV处具有峰的物质包含由式(1)表示的化合物的分解产物；此外，电解质以0.005质量％～10质量％的浓度包含由式(2)表示的磺内酯化合物。

其中Q表示氧原子、亚甲基或C-S单键；A表示：具有1～5个碳原子的取代或未取代的亚烷基；羰基；亚硫酰基；具有1～6个碳原子的取代或未取代的氟代亚烷基；或具有2～6个碳原子的二价基团，其中多个亚烷基单元、多个氟代亚烷基单元、或亚烷基单元和氟代亚烷基单元通过醚键结合；且B表示：取代或未取代的亚烷基；取代或未取代的氟代亚烷基；或氧原子；

其中n表示0～2的整数；且R₁～R₆各自独立地表示氢原子、具有1～12个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基或具有6～12个碳原子的芳基。

专利文献2公开了一种非水二次电池，其中正极由4V类活性材料构成，且在XPS分析中在55.0eV处具有峰并在168.6eV处也具有峰的物质存在于负极表面上。所述文献表明，在55.0eV处的峰归属于锂硫化合物，在168.6eV处的峰形成具有SO₂键的膜，且所述具有SO₂键的膜是稳定的并具有离子传导性，并具有抑制电解质分解的效果。

非专利文献1提出了一种包含如图1中所示SO_x结构的化合物作为在碳负极上的1,3-丙烷磺内酯的反应产物。

引用列表

专利文献

专利文献1：国际公布WO 2005/029613号

专利文献2：日本专利未决的2000-123880号

非专利文献

非专利文献1：Electrochemical and Solid-State Letters,9(4)A196-A199(2006)

发明内容

技术问题

然而，具有形成在负极表面上并包含大量具有如上所述SO_x结构的化合物的膜的电池在电池的充电和放电循环之后不具有足够的容量保持率，且期望进一步改进。

解决问题的技术方案

本发明的一方面涉及一种锂二次电池，其中在正极表面的硫的XPS分析(S2p)中存在在167～171eV处的峰和在162～166eV处的峰，且P169/P164在0.7～2.0的范围内，其中所述P169/P164为在167～171eV处的峰的强度(P169)与在162～166eV处的峰的强度(P164)之比。

有益效果

本发明能够提供一种具有优异循环特性的锂二次电池。

附图说明

[图1]图1是在非专利文献1中所述的1,3-丙烷磺内酯在碳负极上的反应式。

[图2]图2是层压包装电池的示意图。

[图3]图3是正极表面的XPS谱图(S2p)的实例。

[图4]图4是正极表面的XPS谱图(S2p)的实例。

具体实施方式