[发明专利]导电膜、制造该导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置

权利要求书

1.一种导电膜，该导电膜包括：

基膜；

位于所述基膜上的底涂层，所述底涂层具有多个空隙和填料粒子；以及

位于所述底涂层上的导电层，所述导电层包括包含用于形成网络结构的纳米材料的导体，

其中，所述导电层包括：

导电区域，在该导电区域中提供了所述导体；以及

非导电区域，在该非导电区域中不提供所述导体，

其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的第一部分中提供了所述多个空隙，

所述导电膜还包括：

在所述导电层上用于覆盖所述导体的保护涂层，

其中，具有网络结构的空隙形成在所述保护涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的一部分中，

其中，所述填料粒子包括氧化物，

其中，所述氧化物包括从由氧化锆、氧化硅和氧化铁构成的组中选择的至少一种。

2.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述导电区域对应的第二部分中提供了所述填料粒子。

3.根据权利要求2所述的导电膜，其中，所述填料粒子具有20nm至150nm的粒子直径。

4.根据权利要求2所述的导电膜，其中，在所述底涂层的所述第二部分中的所述填料粒子的体积比是10％至30％。

5.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述底涂层的所述第一部分中的所述空隙的体积比是10％至30％。

6.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述导电区域与所述非导电区域之间的漫反射率的差是1.5％或更小。

7.根据权利要求6所述的导电膜，其中，在所述导电区域与所述非导电区域之间的漫反射率的所述差是0.7％或更小。

8.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述空隙具有20nm至150nm的粒子直径。

9.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层具有50nm至200nm的厚度。

10.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层包括可固化树脂。

11.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层具有1.56至1.6的折射率。

12.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述导体包括银纳米线。

13.一种电子装置，该电子装置包括根据权利要求1所述的导电膜。

14.一种提供导电膜的方法，该方法包括以下步骤：

提供基膜；

在所述基膜上提供底涂层，所述底涂层包括填料粒子；

在所述底涂层上提供导电层，所述导电层包括包含用于形成网络结构的纳米材料的导体；

通过去除所述导体的至少一部分来使所述导电层图案化；以及

通过去除所述填料粒子的至少一部分来在所述底涂层的与所述导电层的非导电区域对应的区域中形成多个空隙，

在所述导电层上形成用于覆盖所述导体的保护涂层，

其中，所述导电层包括：

导电区域，在该导电区域中提供了所述导体；以及

非导电区域，在该非导电区域中不提供所述导体，

其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的第一部分中提供了所述多个空隙，

其中，具有网络结构的空隙形成在所述保护涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的一部分中，

其中，所述填料粒子包括氧化物，

其中，所述氧化物包括从由氧化锆、氧化硅和氧化铁构成的组中选择的至少一种。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述导电层的图案化是通过使用蚀刻溶液的湿式蚀刻来执行的。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述导电层的图案化期间，不蚀刻所述底涂层中的可固化树脂，并且在与所述非导电区域对应的区域中蚀刻所述填料粒子。