[发明专利]银合金接合线在审
| 申请号： | 201480011968.2 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN105122435A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 洪性在;许永一;金载善;李钟哲;文晶琸 | 申请（专利权）人： | MK电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 接合 | ||
1.一种银合金接合线，所述银合金接合线包含银(Ag)作为主要成分，
含量为约0.5重量％至约4重量％的钯(Pd)和含量为约2重量％至约8重量％的金(Au)，并且
其中关于垂直于所述接合线的长度方向的横截面，外侧部分的平均晶粒尺寸a与中心部分的平均晶粒尺寸b的比值a/b为约0.3至约3。
2.权利要求1所述的银合金接合线，其中所述中心部分的平均晶粒尺寸b大于所述外侧部分的平均晶粒尺寸a。
3.权利要求2所述的银合金接合线，其中所述中心部分的平均晶粒尺寸b等于或小于约2μm。
4.权利要求1所述的银合金接合线，其中所述外侧部分的平均晶粒尺寸a与所述中心部分的平均晶粒尺寸b的比值a/b为约0.3至约1。
5.权利要求1至4中任一项所述的银合金接合线，其中第一性能调整元素是一种或多种选自由铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)和铈(Ce)组成的组中的元素，并且相对于整个银合金接合线，包含的总含量为约30重量ppm至约100重量ppm。
6.权利要求1所述的银合金接合线，其中第二性能调整元素是一种或多种选自由铂(Pt)和铜(Cu)组成的组中的元素，并且相对于整个银合金接合线，包含的总含量为约0.01重量％至约3重量％。
7.权利要求1所述的银合金接合线，其中所述银合金接合线根据约7％至约10％的横截面减小率被拉拔和制造。
8.一种银合金接合线，所述银合金接合线包含银(Ag)作为主要成分，
含量为约0.5重量％至约4重量％的钯(Pd)和含量为约2重量％至约8重量％的金(Au)，
其中所述银合金接合线根据约7％至约10％的横截面减小率被拉拔和制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
