[发明专利]脉冲式直流等离子体蚀刻方法以及设备

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻设备，包含：

具有处理腔室的腔室主体，该处理腔室适用于接收基板；

射频(RF)源，耦接至RF电极；

基座，位于该处理腔室中并适用于支撑基板；

数个导电销，适用于在处理过程中接触及支撑该基板；以及

直流(DC)偏压源，耦接至该数个导电销。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其中该数个导电销通过该基座，并且该基座为静止的。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其中该导电销的数量包含多于三个。

4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其中该基座包含加热器。

5.如权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其中该基座包含陶瓷，该陶瓷具有多个孔，所述多个孔接收所述数个导电销。

6.如权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，包含控制器，该控制器具有：

RF脉冲产生器，耦接至该RF源并适用于产生RF脉冲；以及

DC脉冲产生器，耦接至该DC偏压源并适用于产生DC偏压脉冲。

7.如权利要求6所述的等离子体蚀刻设备，其中每个该RF脉冲产生器和该DC脉冲产生器是通过主时钟同步。

8.如权利要求6所述的等离子体蚀刻设备，其中每个该RF脉冲产生器和该DC脉冲产生器可以相对于主时钟包括一延迟。

9.如权利要求6所述的等离子体蚀刻设备，其中该DC脉冲产生器产生DC偏压脉冲，该DC偏压脉冲具有介于10％和90％之间的占空比(dutycycle)。

10.一种等离子体蚀刻方法，包含：

在处理腔室内提供基板；

提供处理气体到该处理腔室；

使该处理腔室中的该处理气体曝露于RF脉冲；以及

通过与该基板处于导电接触的导电销提供DC偏压脉冲到该基板。

11.如权利要求10所述的方法，包含改变该DC偏压脉冲的频率。

12.如权利要求10所述的方法，包含改变该RF脉冲的频率和改变该DC偏压脉冲的频率。

13.如权利要求10所述的方法，包含改变该DC偏压脉冲的占空比(dutycycle)。

14.如权利要求10所述的方法，包含调制该DC偏压脉冲的幅度。

15.如权利要求10所述的方法，包含从该基板去除铜残留物。