[发明专利]抛光垫的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及将透镜、反射镜等光学材料、硅晶片、碳化硅、蓝宝石等化合物半导体基板、硬盘用玻璃基板、铝基板等表面抛光时所使用的抛光垫及其制造方法。特别是，本发明的抛光垫适合用作加工用抛光垫。

背景技术

制造半导体装置时，进行在晶片表面形成导电膜，并通过光刻、蚀刻等形成布线层的形成步骤，在布线层上形成层间绝缘膜的步骤等，通过这些步骤在晶片表面上产生由金属等导电体或绝缘体构成的凹凸。近年来，以半导体集成电路的高密度化为目的，正在进行布线的微细化或多层布线化，与此同时将晶片表面的凹凸平坦化的技术变得重要。

作为将晶片表面的凹凸平坦化的方法，一般采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing：以下称为CMP)法。CMP是在将被抛光体的被抛光面压在抛光垫的抛光面上的状态下，使用磨粒分散的浆料状的抛光剂(以下称为浆料)进行抛光的技术。

由于在这种CMP中要求高的抛光精度，因此对于使用的抛光垫的厚度也要求高的精度。因此，提出了以下各种抛光垫的制造方法。

专利文献1公开了通过将CMP用抛光层的硬质的树脂块体在60-140℃下加热并用带式刀进行切片来提高厚度精度的抛光垫的制造方法。

另外，专利文献2公开了通过将硬质的树脂块体在80-130℃下加热并进行切片来提高厚度精度的抛光垫的制造方法。

另外，专利文献3公开了将表层加热从而产生与表层切片部的温度差并进行切片的抛光垫的制造方法。

另外，专利文献4公开了对硬质的树脂块体进行切片的抛光垫的制造方法。

现有技术文献：

专利文献

专利文献1：特开2005-88157号公报

专利文献2：特开2005-169578号公报

专利文献3：特开2006-142474号公报

专利文献4：特开2008-302465号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，对于以往的条件，在树脂块体是软质的情况下，会产生树脂块体陷入到刀具中从而不能进行切片，或与刀具接触时树脂块体变形从而厚度精度变低、抛光精度降低的问题。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供在树脂块体为软质聚氨酯树脂的情况下能够精度良好地进行切片的抛光垫的制造方法。

解决课题的方法

本发明涉及抛光垫的制造方法，其是制造具有抛光层的抛光垫的方法，所述抛光层由软质聚氨酯树脂发泡体片构成，所述软质聚氨酯树脂发泡体在25℃的ASKER D硬度为30以下，所述抛光垫的制造方法包括：步骤A，通过将由所述软质聚氨酯树脂发泡体构成的块体冷却来将ASKER D硬度调整至35以上；步骤B，对通过冷却而调整了ASKER D硬度的所述块体以给定的厚度进行切片从而得到软质聚氨酯树脂发泡体片。

发明的效果

根据本发明的抛光垫的制造方法，可以精度良好地对由在常温(25℃)的ASKER D硬度为30以下的软质聚氨酯树脂发泡体构成的块体进行切片。

附图说明

图1是示出CMP抛光中使用的抛光装置的一例的概略结构图。

具体实施方式

本实施方案的抛光垫的制造方法是制造具有抛光层的抛光垫的方法，所述抛光层由软质聚氨酯树脂发泡体片构成，所述软质聚氨酯树脂发泡体在25℃的ASKER D硬度为30以下，所述抛光垫的制造方法包括：步骤A，通过将由所述软质聚氨酯树脂发泡体构成的块体冷却来将ASKER D硬度调整至35以上；步骤B，对通过冷却而调整了ASKER D硬度的所述块体以给定的厚度进行切片，从而得到软质聚氨酯树脂发泡体片。

<通过将由软质聚氨酯树脂发泡体构成的块体冷却来将ASKER D硬度调整至35以上的步骤A>

<由软质聚氨酯树脂发泡体片构成的抛光层的调整>

软质聚氨酯树酯包含异氰酸酯成分、含有活性氢基团的化合物(高分子量多元醇、含有活性氢基团的低分子量化合物)、及增链剂等。