[发明专利]用于改善太阳能电池寿命和效率的方法有效
申请号: | 201480012458.7 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN105409008B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 斯塔凡·韦斯特贝格;弗洛里托·丹尼斯·维森特;迈克尔·卡德兹诺维克;普林斯·卡尔米·托马达;叶梅利·吉奥 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改善 太阳能电池 寿命 效率 方法 | ||
1.一种在太阳能电池上形成第一抗蚀剂的方法,所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,并且所述方法包括:
将所述太阳能电池置于接收介质上,使所述太阳能电池的所述正面位于所述接收介质的上表面上,其中所述太阳能电池在所述正面上包括纹理化区和轻掺杂扩散区;
使用接触印刷方法在所述太阳能电池的所述背面上沉积所述第一抗蚀剂,其中所述接收介质的所述上表面防止所述纹理化区和所述轻掺杂扩散区损坏;
从所述接收介质移去所述太阳能电池;以及
固化所述第一抗蚀剂。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述轻掺杂扩散区具有低于1×1019cm-3的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述轻掺杂扩散区具有1×1017至1×1019cm-3范围内的掺杂浓度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述轻掺杂扩散区以小于1微米延伸进硅基板中。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述接收介质包含具有5至10范围内的摩氏硬度的材料。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述接收介质的所述上表面在1至50000次使用之后的印刷期间防止所述纹理化区和所述轻掺杂扩散区损坏。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述接收介质的所述上表面在1至50000次使用之后维持恒定的平整度。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述接收介质包含选自丙烯酸类、铝、阳极化铝、硬质阳极化铝、玻璃和钢化玻璃的材料。
9.一种在太阳能电池上形成镀覆抗蚀剂的方法,所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,并且所述方法包括:
将所述太阳能电池置于包含摩氏硬度在5至10范围内的材料的接收介质上,使所述太阳能电池的所述正面位于所述接收介质的上表面上,其中所述太阳能电池在所述正面上包括纹理化区和掺杂浓度低于1×1019cm-3的轻掺杂扩散区;
使用接触印刷方法在所述太阳能电池的所述背面上沉积所述镀覆抗蚀剂,其中所述接收介质的所述上表面防止所述纹理化区和所述轻掺杂扩散区损坏;
从所述接收介质移去所述太阳能电池;以及
光固化所述镀覆抗蚀剂。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述轻掺杂扩散区以小于1微米延伸进硅基板中。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述接收介质的所述上表面在1至50000次使用之后的印刷期间防止所述纹理化区和所述轻掺杂扩散区损坏。
12.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述接收介质的所述上表面在1至50000次使用之后维持恒定的平整度。
13.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述接收介质包含选自丙烯酸类、铝、阳极化铝、硬质阳极化铝、玻璃和钢化玻璃的材料。
14.一种在太阳能电池上形成第一抗蚀剂的方法,所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,并且所述方法包括:
在所述太阳能电池的所述正面上形成第一保护层,其中所述太阳能电池在所述正面上包括纹理化区和轻掺杂扩散区;
将所述太阳能电池置于接收介质上,使所述太阳能电池的所述正面位于所述接收介质的上表面上;
使用接触印刷方法在所述太阳能电池的所述背面上沉积所述第一抗蚀剂,其中所述第一保护层防止所述太阳能电池的所述正面上的所述纹理化区和所述轻掺杂扩散区在印刷过程期间损坏;
从所述接收介质移去所述太阳能电池;以及
固化所述第一抗蚀剂。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述轻掺杂扩散区具有低于1×1019cm-3的掺杂浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的