[发明专利]位置校正量运算装置和校正方法、及带电粒子束照射系统

权利要求书

1.一种带电粒子束照射位置的校正量运算装置，包括：存储部，存储有对照射到涂覆有抗蚀剂的被加工体上的带电粒子束的带电粒子束照射位置进行校正的程序；以及控制部，其特征在于，

所述控制部从所述存储部读取进行校正的所述程序，并执行以下动作：

将由照射所述带电粒子束而引起的所述抗蚀剂的带电电荷替换为所述抗蚀剂与所述被加工体的界面的表面电荷，并对替换成的表面电荷的每个网格的电荷密度分布进行运算；

基于所述电荷密度分布对从所述带电粒子束的出射位置到所述抗蚀剂的表面为止的带电粒子的轨道进行运算；

基于算出的所述轨道对所述带电粒子束的照射位置的误差量进行运算；以及

基于算出的所述误差量对所述带电粒子束的照射位置的校正量进行运算。

2.根据权利要求1所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置，其特征在于，

所述轨道的运算仅基于所述电荷密度分布中由已被所述带电粒子束照射的区域产生的电荷密度来运算所述轨道。

3.根据权利要求1或2所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置，其特征在于，

当对所述抗蚀剂多次照射所述带电粒子束时，所述电荷密度分布的运算创建与各次照射状况对应的电荷密度分布。

4.根据权利要求3所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置，其特征在于，

所述轨道的运算基于与照射状况对应的所述电荷密度分布来运算与各次照射状况对应的所述轨道，

所述误差量的运算基于与照射状况对应的所述轨道来运算与各次照射状况对应的所述误差量，

所述照射位置的校正量的运算基于与照射状况对应的所述误差量来运算与各次照射状况对应的所述校正量，并分别作为所述带电粒子束的各次照射位置的校正量。

5.根据权利要求3所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置，其特征在于，

所述轨道的运算基于与照射状况对应的所述电荷密度分布来运算与照射状况对应的所述轨道，

所述误差量的运算基于与照射状况对应的所述轨道来运算与照射状况对应的所述误差量，

所述照射位置的校正量的运算基于与照射状况对应的所述误差量来运算与照射状况对应的所述校正量，并将算出的各校正量的平均值作为所述带电粒子束的各次照射位置的校正量。

6.一种带电粒子束照射系统，其特征在于，包括：

权利要求3所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置；以及

照射所述带电粒子束的带电粒子束照射装置。

7.一种带电粒子束照射系统，其特征在于，包括：

权利要求1、2、4和5中任一项所述的带电粒子束照射位置的校正量运算装置；以及

照射所述带电粒子束的带电粒子束照射装置。

8.一种带电粒子束照射位置的校正方法，用于对照射到涂覆有抗蚀剂的被加工体上的带电粒子束的照射位置进行校正，其特征在于，包括以下工序：

将由照射所述带电粒子束而引起的所述抗蚀剂的带电电荷替换为所述抗蚀剂与所述被加工体的界面的表面电荷，并对替换成的表面电荷的每个网格的电荷密度分布进行运算；

基于所述电荷密度分布对从所述带电粒子束的出射位置到所述抗蚀剂的表面为止的带电粒子的轨道进行运算；

基于算出的所述轨道对所述带电粒子束的照射位置的误差量进行运算；以及

基于算出的所述误差量对所述带电粒子束的照射位置的校正量进行运算。