[发明专利]有机电致发光元件及有机电致发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种有机电致发光元件，是通过挠性基材和密封部件进行固体封装而成的有机电致发光元件，所述密封部件用密封树脂层与所述挠性基材接合，该有机电致发光元件具备：

阻隔层，设置在所述挠性基材上且包含聚硅氮烷改性层，

层叠体，配置于所述阻隔层上且设置有在成对的电极间具有至少1层发光层的有机功能层，

被覆中间层，至少在所述层叠体的周围的所述阻隔层上形成，由选自无机氧化物、无机氮化物和无机碳化物中的至少1种以上形成，

所述密封部件，介由所述密封树脂层接合在所述被覆中间层上，

所述密封树脂层与所述被覆中间层相接，

所述被覆中间层与所述阻隔层相接。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述密封树脂层由热固化性树脂构成。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述被覆中间层覆盖所述层叠体。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述被覆中间层含有氮化硅。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述阻隔层为第1阻隔层与第2阻隔层的层叠结构，所述第2阻隔层设置在所述挠性基材上，所述第1阻隔层设置在所述第2阻隔层上，

所述第2阻隔层是在厚度方向具有折射率分布、在该折射率分布中具有一个以上极值、由含有硅、氧以及碳的材料构成的无机膜，

所述无机膜的表示在膜厚方向距离所述无机膜的表面的距离与硅、氧或碳的原子量比率的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线满足下述(i)～(iii)的条件，原子量比率即原子比，

(i)硅的原子比、氧的原子比以及碳的原子比在所述无机膜的膜厚90％以上的区域满足下述式(1)或者下述式(2)表示的条件，

氧的原子比＞硅的原子比＞碳的原子比···(1)

碳的原子比＞硅的原子比＞氧的原子比···(2)

(ii)碳分布曲线具有至少一个极大值和极小值，

(iii)碳分布曲线中的碳的原子比的最大值和最小值的差的绝对值为5at％以上；

所述第1阻隔层由聚硅氮烷改性层构成。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光元件，其中，所述层叠体中，形成于所述阻隔层侧的电极是设置于含氮层上的以银为主成分的导电层，

构成所述含氮层的化合物在将相对于所述化合物的分子量M的有效非共有电子对的个数n设为有效非共有电子对含有率n/M时，满足2.0×10^-3≤[n/M]。

7.一种有机电致发光元件的制造方法，其具有如下工序：

在挠性基材上形成包含聚硅氮烷改性层的阻隔层的工序；

在所述阻隔层上层叠成对的电极、和在所述电极间具有至少1层发光层的有机功能层而形成层叠体的工序；

在所述层叠体的周围的所述阻隔层上形成由选自无机氧化物、无机氮化物和无机碳化物中的至少1种以上形成的被覆中间层的工序；和

涂布密封树脂层，在所述被覆中间层上介由所述密封树脂层接合密封部件的工序。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，用CVD法形成所述被覆中间层。