[发明专利]低毛刺噪声DAC

权利要求书

1.一种N位数模转换器DAC，包括：

与所述DAC的M个最高有效位相关联的2M-1个并行级，2M-1个级中的每一者被适配成生成电流并且经由对差分数据作出响应的一对开关将所述电流递送至所述DAC的一对电流求和节点；

与所述DAC的(N-M)个最低有效位相关联的(N-M)个级，所述(N-M)个级中的每一者生成电流并且包括一电阻性网络，所述(N-M)个级中的每一者进一步包括一对开关，所述一对开关被适配成响应于差分数据将在该级中生成的电流递送至该级的相关联的电阻性网络，每一电阻性网络能操作用于缩放其接收到的电流并且递送由其相关联的级的二元权重所定义的经缩放的电流，所述(N-M)个级将它们的经缩放的电流递送至所述一对电流求和节点；以及

阻抗衰减器，所述阻抗衰减器包括耦合至所述一对电流求和节点的差分放大器，并且所述阻抗衰减器被适配成将所述电流求和节点中的每一者的阻抗与所述电流求和节点之间的电压差维持在所述差分放大器的增益所定义的范围内。

2.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，与所述(N-M)个级中的级i相关联的电阻性网络耦合至所述(N-M)个级中的级(i+1)的电阻性网络，其中i是表示该级在所述DAC内的位位置的整数。

3.如权利要求2所述的N位DAC，其特征在于，与所述(N-M)个级中的每一者相关联的电阻性网络接收参考电压。

4.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，与所述(N-M)个级中的每一者相关联的电阻性网络是R-2R网络。

5.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，所述阻抗衰减器进一步包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合至所述电流求和节点中的第一电流求和节点的源极端、耦合至所述DAC的第一输出端的漏极端、以及耦合至所述放大器的第一输出端的栅极端；以及

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有耦合至所述电流求和节点中的第二电流求和节点的源极端、耦合至所述DAC的第二输出端的漏极端、以及耦合至所述放大器的第二输出端的栅极端。

6.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，所述DAC的(2M-1+N-M)个级中的每一者包括生成电流的共源共栅电流源。

7.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，(2M-1+N-M)个级中的每一者中的开关是晶体管开关，所述晶体管开关之一的晶体管对表示由所述DAC接收到的真实数据位的位作出响应而所述晶体管开关之一的晶体管对表示由所述DAC接收到的位的补的位作出响应，其中所有(2M-1+N-M)个级中的晶体管开关具有类似大小。

8.如权利要求7所述的N位DAC，其特征在于，所述2M-1个级中的至少一者包括：

第一电阻性元件，所述第一电阻性元件布置在所述2M-1个级中的至少一者中布置的晶体管开关中的第一晶体管开关与所述电流求和节点中的第一电流求和节点之间；以及

第二电阻性元件，所述第二电阻性元件布置在所述2M-1个级中的至少一者中布置的晶体管开关中的第二晶体管开关与所述电流求和节点中的第二电流求和节点之间。

9.如权利要求1所述的N位DAC，其特征在于，仅与所述(N-M)个级中的第一子集中的每一者相关联的电阻性网络是R-2R网络。

10.如权利要求9所述的N位DAC，其特征在于，与所述(N-M)个级中的第二子集中的每一者相关联的电阻性网络耦合至所述DAC的所述电流求和节点，所述第二子集不包括所述第一子集。