[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480013059.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105190872B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 竹松裕司;柳川克彦;冈本健次 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 熊风 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密封材料 半导体装置 半导体元件 无机填充材料 绝缘基板 印刷基板 接合 环氧树脂 纳米复合树脂 热固性树脂 热塑性树脂 密封树脂 平均粒径 外部电路 混合物 成形体 固化剂 热氧化 劣化 主剂 密封 | ||
1.一种半导体装置，该半导体装置包括用密封材料对包含半导体元件、绝缘基板以及印刷基板的构件进行密封而形成的成形体，所述绝缘基板与所述半导体元件的一个面相接合，所述印刷基板用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路，所述半导体装置的特征在于，
所述密封材料包含：
第一密封材料，该第一密封材料是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1～100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂；以及
第二密封材料，该第二密封材料由热固性树脂、热塑性树脂或两者的混合物构成，
所述第一密封材料构成第一密封层，所述第一密封层对所述半导体元件进行覆盖并设置于接近所述半导体元件的区域，
所述第二密封材料构成第二密封层，所述第二密封层对所述第一密封层进行覆盖，
所述第一密封层至少对在所述半导体元件动作时与所述半导体元件的最大动作温度相差25℃以内的区域进行密封。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二密封层形成所述成形体的外表面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一密封材料构成第三密封层，所述第三密封层进一步对所述第二密封层进行覆盖，并且面朝所述成形体的外表面的至少一部分，以至少300μm的厚度来进行设置。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三密封层的厚度在3mm以下。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述无机填充材料包含熔融二氧化硅和粉碎二氧化硅中的至少一种。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述纳米复合树脂中含有0.1质量％～25质量％的量的所述无机填充材料。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件是SiC半导体元件。
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