[发明专利]选择性自参考读取有效

专利信息
申请号: 201480013302.0 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN105027085B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 韦恩·肯尼;古尔特杰·S·桑胡 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 读取 存储器单元 参考 存储器 磁阻式随机存取存储器 关联 存储器阵列 错误校正码 电力消耗 准确度 解码 可执行 校正 检测 响应
【权利要求书】:

1.一种从存储器阵列读取数据的方法,所述方法包括:

从所述存储器阵列的存储器单元读取数据,其中所述读取数据发生在第一等待时间,

响应于确定从所述存储器单元读取的所述数据中的错误不可经由错误校正码校正,执行从相同存储器单元的自参考读取,其中所述自参考读取包括将从存储器单元读取的值与从所述相同存储器单元读取的另一值进行比较,其中所述自参考读取具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间,及

将读取自所述读取数据和所述自参考读取的数据发送至具有固定等待时间的存储器控制器,其中所述固定等待时间具有大于或等于所述第二等待时间的持续时间。

2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述执行所述自参考读取中,在将从所述存储器单元读取的有效数据提供到与所述读取相关联的处理器时的所述第一等待时间小于在将从所述相同存储器单元读取的有效数据提供到所述处理器时的所述第二等待时间。

3.根据权利要求1所述的方法,其中在所述执行所述自参考读取中,在将从所述存储器单元读取的有效数据提供到与所述读取相关联的处理器时的所述第一等待时间与在将从所述相同存储器单元读取的有效数据提供到所述处理器时的所述第二等待时间大约相同。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器单元包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元。

5.根据权利要求1所述的方法,其中一次读取一个以上码字,其中执行所述自参考读取进一步包括仅对识别为已读取有不可校正错误的码字的数字执行自参考读取。

6.根据权利要求1所述的方法,其中执行所述自参考读取进一步包括:当将从所述存储器单元读取的所述值与从所述相同存储器单元读取的所述另一值进行比较指示所述所比较值对应于所述存储器单元的不同状态时,重新编程所述存储器单元。

7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括经由错误校正码的解码校正从所述存储器单元读取的所述数据中的可校正错误。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括响应于确定来自所述读取的所述数据中的所有错误均可经由错误校正码校正而将所述数据提供到处理器。

9.一种从存储器阵列读取数据的方法,所述方法包括:

通过将与所述存储器阵列的存储器单元相关联的值与参考值进行比较而从所述存储器阵列的所述存储器单元读取数据,其中所述读取数据发生在第一等待时间,

响应于检测到与所述读取相关联的条件,执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取,其中所述自参考读取包括将从存储器单元读取的值与从相同存储器单元读取的另一值进行比较,其中所述自参考读取具有不同于所述第一等待时间的第二等待时间,及

将读取自所述读取数据和所述自参考读取的数据发送至具有固定等待时间的存储器控制器,其中所述固定等待时间具有大于或等于所述第二等待时间的持续时间。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的错误不可经由错误校正码校正。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的至少一个疑似错误。

12.根据权利要求9所述的方法,其中所述条件指示从所述存储器单元读取的所述数据中的错误数目具有至少阈值错误数目,且其中所述阈值错误数目大于1。

13.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括由处理器以可变等待时间从所述存储器阵列存取数据,其中通过所述读取存取的数据具有比通过所述执行所述自参考读取存取的数据低的等待时间。

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