[发明专利]极紫外线光刻掩模坯料制造系统及用于该制造系统的操作方法

权利要求书

1.一种处理系统，所述处理系统包含：

真空腔室；

多个处理系统，所述多个处理系统附接在所述真空腔室的周围，所述多个处理系统用于通过可流动的化学气相沉积在晶片上沉积平坦化层，以及在所述平坦化层之上沉积覆盖层；以及

晶片传送系统，所述晶片传送系统位于所述真空腔室中，用于在所述多个处理系统之间移动所述晶片而不从真空中离开。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括除气系统。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括物理气相沉积系统。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括预清洁系统。

5.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含用于输出极紫外线掩模坯料的输出部。

6.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含用于输出极紫外线镜的输出部。

7.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含：

额外真空腔室，所述额外真空腔室连接至所述真空腔室；

额外多个处理系统，所述额外多个处理系统附接于所述额外真空腔室的周围；以及

额外晶片传送系统，所述额外晶片传送系统位于所述额外真空腔室中，用于在所述额外多个处理系统之间移动所述晶片而不从真空中离开。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述额外多个处理系统包括可流动的化学气相沉积系统。

9.如权利要求7所述的系统，其中所述额外多个处理系统包括固化腔室。

10.如权利要求7所述的系统，其中所述额外多个处理系统包括多阴极源。

11.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含顶部适配器，所述顶部适配器预留有围绕所述顶部适配器的若干阴极源。

12.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含用于固定晶片的旋转底座。

13.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含旋转底座，所述旋转底座用于将晶片置放在与所述多个阴极的每一个阴极成角度之处。

14.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含护罩，所述护罩附接于所述多个阴极的每一个阴极。

15.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含旋转屏蔽件，所述旋转屏蔽件用于在所述多个阴极的一个或更多个阴极之间旋转。

16.如权利要求10所述的系统，其中所述系统进一步包含边缘排阻覆盖掩模，所述边缘排阻覆盖掩模用于覆盖晶片的边缘，以防止在所述晶片的这些边缘区域沉积材料。

17.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含载具，所述载具具有用于支撑晶片的支撑销及用于横向保持所述晶片的保持销。

18.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含载具，所述载具具有用于支撑晶片的支撑销及用于横向保持所述晶片的保持销，所述载具具有开口以允许从下方进行沉积。

19.一种形成EUV掩模坯料的方法，所述方法包含以下步骤：

通过可流动的化学气相沉积在基板之上形成平坦化层；以及

通过物理气相沉积在所述平坦化层之上形成多层堆叠物，其中在不从真空移除所述基板的情况下，在生产系统中执行形成所述平坦化层及形成所述多层堆叠物的步骤。

20.如权利要求19所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：在不从所述真空移除所述基板的情况下，将覆盖层施加至所述多层堆叠物。