[发明专利]图像拾取元件和图像拾取装置有效
申请号: | 201480013396.1 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN105074928B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;斋藤卓;小池薰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 装置 | ||
本公开的图像拾取元件包含包括受光部和集光部的第一像素和第二像素,所述受光部包括光电转换元件,所述集光部将入射光朝向所述受光部聚集,第一像素和第二像素彼此相邻并且在所述受光部的受光面上均具有台阶部,其中所述台阶部的侧壁的至少一部分覆盖有第一遮光部。
技术领域
本技术涉及一种图像拾取元件和图像拾取装置。更具体地,本技术涉及一种具有焦点检测功能的图像拾取元件和包括该图像拾取元件的图像拾取装置。
背景技术
近年来,使用了包括具有相位差检测方式的焦点检测功能的图像拾取元件(固态图像拾取元件)的半导体成像装置(图像拾取装置)。在相位差检测方式中,利用其中在传感器的各像素中设置有片上透镜的二维传感器进行光瞳分割方式的焦点检测。
在这种图像拾取装置中,研发了满足图像拾取用的像素(图像拾取像素)和焦点检测用的像素(像面相位差像素)所必需的受光特性的技术。例如,在PTL 1中,公开了一种其中在光入射侧的硅基板的背面设置由非透明导电材料形成的元件隔离层以提高光瞳分割性能和感度的图像拾取装置。
另外,例如,在PTL 2中,公开了一种其中片上透镜的高度对于图像拾取像素和焦点检测像素的每个是变化的以调节各像素中的聚光位置的图像拾取装置。
此外,例如,在PTL 3中,公开了一种其中在图像拾取像素的光电转换部和片上透镜之间设置光波导以满足具有相同透镜形状的图像拾取像素和焦点检测像素所必需的受光特性的图像拾取装置。
引用文献列表
专利文献
PTL 1:日本未审查专利申请公开No.2012-84816
PTL 2:日本未审查专利申请公开No.2007-281296
PTL 3:日本未审查专利申请公开No.2011-29932
发明内容
然而,在片上透镜的形状对于图像拾取像素和焦点检测像素的每个而改变的情况下或在设置元件隔离层或光波导的情况下,可能增大成本和制造步骤的数量。另外,特别地,在由硅基板的背面检测光的背面照射型图像拾取装置中,为了抑制混色,在受光侧的部件可以优选形成为具有小的厚度(高度减小)。然而,在这种情况下,入射光的聚光位置位于硅基板侧。因此,不能获得在焦点检测像素中的足够的自动对焦特性(AF特性)。
因此,希望提供一种适于以简单结构实现图像拾取像素的像素特性和像面相位差像素的AF特性的图像拾取元件和图像拾取装置。
根据本技术实施方案的图像拾取元件包含包括受光部和集光部的第一像素和第二像素,所述受光部包括光电转换元件,所述集光部将入射光朝向所述受光部聚集,第一像素和第二像素彼此相邻并且在所述受光部的受光面上均具有台阶部。所述台阶部的壁面的至少一部分覆盖有第一遮光部。
所述集光部可以包括作为光学功能层的透镜,并且第一像素的集光部的透镜可以具有与第二像素的集光部的透镜相同的形状。
第一像素的集光部的透镜可以对向于第一像素的受光部,并且第二像素的集光部的透镜可以对向于第二像素的受光部。
所述台阶部的壁面可以是垂直的。
第二像素可以在所述受光部和所述集光部之间包括遮挡所述受光面的一部分的第二遮光部。
第一像素和第二像素可以包括在彼此相邻的第一像素和第二像素之间的第三遮光部。
第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部可以由相同的材料形成。
第一像素的入射光可以聚集在所述受光部的受光面附近。
第二像素的入射光可以聚集在与第二遮光部的深度位置相同的深度位置。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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