[发明专利]通过聚合物管理提高蚀刻系统的生产率有效
申请号: | 201480013430.5 | 申请日: | 2014-01-06 |
公开(公告)号: | CN105027269B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 罗伯特·谢比;阿尔弗雷多·格拉纳多斯;彼得·德蒙特;赵·H·曾;王建奇;拉扬·巴勒森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 聚合物 管理 提高 蚀刻 系统 生产率 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
介电顶板,所述介电顶板具有经粗糙化的表面;
传导主体,所述传导主体连接至所述介电顶板,所述传导主体设置在绝热器中,所述传导主体具有第一部分;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述传导主体中,连接至所述传导主体的所述介电顶板界定所述基板支撑件之上的内部区域,并且所述基板支撑件被所述传导主体限定;
泵送口,所述泵送口从所述传导主体的第二部分形成并侧向耦接至所述传导主体的所述第二部分,并且所述泵送口与所述内部区域流体连通,来自所述传导主体所述第二部分的所述泵送口设置在加热器外壳中,所述加热器外壳具有设置在所述加热器外壳中的多个加热元件,这些加热元件被配置成将所述泵送口保持在介于80℃与130℃之间的温度下;以及
多个热源,这些热源被配置成保持所述介电顶板的均匀温度剖面。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述加热器外壳包括三个加热元件。
3.如权利要求2所述的装置,其中第一加热元件被配置成加热所述泵送口的第一区域。
4.如权利要求2所述的装置,其中第二加热元件被配置成加热所述泵送口的第二区域。
5.如权利要求2所述的装置,其中第三加热元件被配置成加热所述泵送口的第三区域。
6.如权利要求1所述的装置,其中所述多个加热元件被配置成保持所述泵送口的均匀温度剖面。
7.如权利要求1所述的装置,其中这些热源将所述介电顶板保持在介于80℃与130℃之间的恒定温度下。
8.一种加热器外壳,所述加热器外壳包括:
外壳主体,所述外壳主体绕着泵送口而设置,所述外壳主体耦接至传导主体的第一部分,而所述传导主体的第二部分设置成与所述外壳主体分离,其中当基板设置在所述传导主体的所述第二部分中时所述传导主体的所述第二部分被配置成限定所述基板;
第一加热元件,所述第一加热元件设置在所述泵送口的第一区域附近;
第二加热元件,所述第二加热元件设置在所述泵送口的第二区域附近;及
第三加热元件,所述第三加热元件设置在所述泵送口的第三区域附近,其中所述第一加热元件、所述第二加热元件和所述第三加热元件可操作以保持在介于80℃与130℃之间的温度下。
9.如权利要求8所述的加热器外壳,其中所述第一加热元件被配置成保持第一温度,所述第二加热元件被配置成保持第二温度,而所述第三加热元件被配置成保持第三温度,且其中所述第一温度、所述第二温度与所述第三温度是不同的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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