[发明专利]多沟道晶体管有效

申请号：	201480013532.7	申请日：	2014-01-15
公开（公告）号：	CN105247680B	公开（公告）日：	2019-07-30
发明（设计）人：	格雷戈里·布宁;塔玛拉·巴克什特	申请（专利权）人：	VISIC科技有限公司
主分类号：	H01L29/778	分类号：	H01L29/778;H01L29/417;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/20
代理公司：	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人：	余刚;陈鹏
地址：	以色列***	国省代码：	以色列;IL
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摘要：
搜索关键词：	沟道晶体管
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【权利要求书】：

1.一种场效应晶体管，包括：

由势垒分离的第一2DEG电流沟道和第二2DEG电流沟道；和

至少一个导电插塞，贯穿第一2DEG和第二2DEG，并且与第一2DEG和第二2DEG形成欧姆连接，所述至少一个导电插塞位于场效应晶体管的源极和漏极之间，以将所述第一2DEG电流沟道的非中断的部分电气地耦合至第二2DEG电流沟道的非中断的部分，所述第一2DEG电流沟道具有沟道导电性中断的区域，所述沟道导电性中断的区域包括物理中断或功能性中断；

所述至少一个导电插塞包括插塞阵列，所述插塞阵列的导电插塞被彼此均匀地间隔开，所述插塞阵列包括位于与沟槽的一侧的距离实质上固定的位置处的均匀地间隔开的一行插塞；

所述场效应晶体管包括位于所述漏极和所述沟道导电性中断的区域之间的至少一个插塞、以及位于所述源极和所述沟道导电性中断的区域之间的至少一个插塞。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中由横截断所述第一2DEG电流沟道的至少一部分的沟槽创建所述沟道导电性中断的区域。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中所述场效应晶体管的栅极位于所述沟槽内。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中至少一个2DEG电流沟道位于窄带隙氮化物半导体层和宽带隙氮化物半导体层之间的异质结面的附近。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述窄带隙半导体层包含氮化镓GaN。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中所述GaN层具有5nm或更大的厚度。

7.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述宽带隙半导体层包括In_yAl_zGa_1-y-zN，其中0≤y<1，0<z<1。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述至少一个导电插塞具有介于0.1微米至5微米之间的宽度。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述至少一个导电插塞具有介于0.1微米至10微米之间的长度。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述至少一个导电插塞包括金属。

11.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中所述金属包括从由铝、铂、钛、铜、金以及它们的合金组成的组选择的一种或多种金属。