[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1导电型的半导体层；

第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域，该第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域配置于所述半导体层的表面层或所述半导体层上，并在该第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域与该半导体层之间分别形成有第1寄生二极管及第2寄生二极管；

控制电路，该控制电路配置于所述第1半导体区域；

栅极驱动电路，该栅极驱动电路配置于所述第2半导体区域的表面层；

第1二极管，该第1二极管配置在通过所述第2寄生二极管的、供由负浪涌电压产生的浪涌电流流动的浪涌电流路径上，相对于浪涌电流具有反向特性；以及

电平移位电路，该电平移位电路将由所述控制电路输出的第1栅极控制信号输出到所述栅极驱动电路。

2.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1导电型的半导体层；

第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域，该第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域配置在所述半导体层的表面层或所述半导体层上；

第1导电型的第3半导体区域，该第1导电型的第3半导体区域配置在所述第1半导体区域的表面层；

第1导电型的第4半导体区域，该第1导电型的第4半导体区域配置在所述第2半导体区域的表面层；

控制电路，该控制电路配置于所述第1半导体区域且将所述第3半导体区域的电位即第1电位作为基准电位进行动作；

栅极驱动电路，该栅极驱动电路配置于所述第2半导体区域且将所述第4半导体区域的电位即第2电位作为基准电位进行动作；

第1二极管，该第1二极管的阴极与所述第3半导体区域相连接，该第1二极管的阳极与所述半导体层相连接；以及

电平移位电路，该电平移位电路将由所述控制电路输出的以所述第1电位作为基准电位的第1栅极控制信号转换为以所述第2电位为基准的第3栅极控制信号，并输出到所述栅极驱动电路。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电平移位电路包括：电平下拉电路，该电平下拉电路将由所述控制电路输出的以所述第1电位作为基准电位的第1栅极控制信号转换为以所述半导体层的电位即第3电位为基准的第2栅极控制信号；以及电平上拉电路，该电平上拉电路将所述第2栅极控制信号转换为以所述第2电位为基准的第3栅极控制信号，并输出到所述栅极驱动电路。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电平移位电路包括电平上拉电路，由所述控制电路输出的以所述第1电位作为基准电位的第1栅极控制信号通过栅极电阻输入到所述电平上拉电路，所述电平上拉电路将该第1栅极控制信号转换为以所述第2电位为基准的第3栅极控制信号，并输出到所述栅极驱动电路。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述电平上拉电路由连接在比输入至所述栅极驱动电路的所述第2电位要高的第3电位和所述半导体层的浮动电位即第4电位之间的第1电平移位电阻、及第2导电型的第1场效应晶体管的串联电路构成，从所述第1电平移位电阻和所述第1场效应晶体管的连接点输出所述第3栅极控制信号。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电平下拉电路由第1导电型的第2场效应晶体管、和连接在所述第2场效应晶体管的漏极电极与所述半导体层之间的第2电平移位电阻的串联电路构成。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电平上拉电路由连接在比输入至所述栅极驱动电路的所述第2电位要高的第3电位和所述半导体层的浮动电位即第4电位之间的第1电平移位电阻、及第2导电型的第1场效应晶体管的串联电路构成，从所述第1电平移位电阻和所述第1场效应晶体管的连接点输出所述第3栅极控制信号，

所述电平下拉电路由第1导电型的第2场效应晶体管、和连接在所述第2场效应晶体管的漏极电极与所述半导体层之间的第2电平移位电阻的串联电路构成。