[发明专利]用于监视半导体制作的方法及设备

权利要求书

1.一种用于对半导体制作进行过程监视的半导体芯片，其包括：

多个阵列，其进一步包括：

多个二极管，每一所述二极管形成于衬底中，每一所述二极管与包括至少一个水平互连件的堆叠相关联，所述堆叠与所述二极管串联连接以形成二极管堆叠组合，

其特征在于，所述水平互连件包括经自对准硅化多晶硅互连件，所述经自对准硅化多晶硅互连件包括互补经掺杂多晶硅区段以形成相对于所述二极管的经反向偏置二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中硅化物层形成于所述互补经掺杂多晶硅的顶部上。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述硅化物层为TiSi₂、CoSi₂、NiSi或WSi₂。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述经自对准硅化多晶硅由布置于所述硅化物层的顶部上的第一通孔及第二通孔接触，其中所述第一通孔位于p+掺杂多晶硅区段上方且所述第二通孔位于n+掺杂多晶硅区段上方。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述堆叠进一步包括至少一个垂直互连件，所述至少一个垂直互连件包括多个通孔及金属导线。

6.一种测试系统，其包括前述任一权利要求所述的半导体芯片，且所述测试系统进一步包括：

多个控制机构，其用于寻址所述二极管，其中所述控制机构包括：

用于将相对高或低电压施加到所述阵列中的所述二极管堆叠组合的多个列的装置，其连接在所述二极管堆叠组合的第一端处；及

用于将相对高或低电压施加到所述阵列中的所述二极管堆叠组合的多个行的装置，其连接在所述二极管堆叠组合的第二端处。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述控制机构为反相器。

8.根据权利要求6或7所述的系统，其中所述二极管是通过到布置于p型衬底内的n型阱中的第一p型半导体沉积而形成，

所述芯片进一步包括用于每一所述二极管的多个电连接，所述多个电连接通过第二p型半导体到所述p型衬底中的沉积形成；且

所述阵列进一步包括由所述电连接、所述p型衬底、所述n型阱及所述第一p型半导体沉积构成的多个p-n-p寄生晶体管。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述寄生晶体管与所述二极管共享物理位置，且所述寄生晶体管与所述二极管并联连接。

10.根据权利要求6或7所述的系统，其中多个p型半导体区邻近于每一所述二极管而沉积，所述p型半导体区连接到晶体管的邻近于所述芯片的所述衬底中的所述二极管的端子。

11.根据权利要求10所述的系统，其中邻近于所述阵列中的每一二极管的所述p型半导体区连接在一起。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述p型半导体区连接到第一电压，所述第一电压具有比可施加到二极管堆叠组合的列的所述高电压低的电位。

13.一种用于使用前述权利要求6-12中的任一权利要求所述的测试系统对半导体制作进行过程监视的方法，其包括：

将相对高或低电压施加到所述阵列中的所述二极管堆叠组合的多个列，所述多个列在所述二极管堆叠组合的第一端处连接；

将相对高或低电压施加到所述阵列中的所述二极管堆叠组合的多个行，所述多个行在所述二极管堆叠组合的第二端处连接，且

测量穿过所述二极管堆叠组合的电流。