[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

说明书

本发明涉及一种包括载体（10）、半导体层序列（20）、连接层（30）、转换元件（40）的光电子器件，该半导体层序列被设置用于发射电磁一次辐射并且被布置在载体（10）上，其中半导体层序列（20）具有背向载体（10）的辐射主侧，该连接层直接地至少被施加在半导体层序列（20）的辐射主侧（21）上，该转换元件被设置用于发射电磁二次辐射并且直接被布置在连接层（30）上，其中转换元件（40）被成形为预制体，其中连接层（30）具有至少一个嵌入在基质材料（32）中的无机的填充物（31），其中连接层（30）以小于或等于2μm的层厚来成形，其中预制体借助连接层（30）固定在半导体层序列（20）上，其中连接层（30）被设置用于滤出电磁一次辐射的短波分量。

技术领域

本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。

发明内容

要解决的任务在于，说明一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，该光电子器件具有改进的稳定性。

根据一种实施方式，光电子器件包括载体、半导体层序列，该半导体层序列被设置用于发射电磁一次辐射并且被布置在载体上。半导体层序列具有背向载体的辐射主侧。光电子器件具有连接层，该连接层直接地至少被施加在半导体层序列的辐射主侧上。光电子器件具有转换元件，该转换元件被设置用于发射电磁二次辐射并且直接被布置在连接层上，其中转换元件被成形为预制体。连接层具有至少一个无机的填充物，该填充物被嵌入在基质材料中，其中连接层以小于或等于2μm的层厚来成形。预制体借助连接层被固定在半导体层序列上。连接层被设置成，使得电磁一次辐射的短波分量被滤出。

根据光电子器件的至少一种实施方式，该光电子器件包括载体。载体例如可以是印刷电路板（PCB）、陶瓷衬底、电路板或铝板。

根据至少一种实施方式，光电子器件包括半导体层序列。半导体层序列可以是半导体芯片的组成部分。半导体层序列被布置在载体上。半导体层序列优选地基于III/V化合物半导体材料。半导体层序列中所使用的半导体材料是没有限制的，而是所述半导体材料至少部分地具有电致发光。半导体层序列例如可以包括元素的化合物，所述元素从铟、镓、铝、氮、磷、砷、氧、硅、碳和其组合中选择。但是也可以使用其他元素和添加物。具有有源区域的层序列例如可以基于氮化物化合物半导体材料。“基于氮化物化合物半导体材料”在本上下文中表示，半导体层序列或半导体层序列的至少一部分具有氮化物化合物半导体材料、优选地AlnGamIn1-n-mN或由氮化物化合物半导体材料构成，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，该材料不必强制地具有根据上面公式的数学上精确的组成。更确切地说，该材料例如可以具有一种或多种掺杂物以及附加的组成部分。上面的公式仅以简化的表示说明晶格的重要组成部分（Al、Ga、In、N），即使所述组成部分可以部分地通过少量的其他物质代替和/或补充。

半导体层序列例如可以具有通常的pn结、双异质结构、单量子阱结构（SQW结构）或多量子阱结构（MQW结构）作为有源区域。半导体层序列除了有源区域之外还可以包括其他功能层和功能区域、例如p或n掺杂的载流子传输层、即电子或空穴传输层、p或n掺杂的抑制层或覆层、缓冲层和/或电极以及其组合。这样的结构－有源区域或其他功能层和有关区域－对于专业人员特别是关于构造、功能和结构已知并且因此在此不详细解释。

根据至少一种实施方式，半导体层序列具有粗糙部。特别是，粗糙部是半导体层序列的辐射主侧的部分。

在半导体层序列的运行中，在有源层中产生电磁一次辐射。

根据至少一种实施方式，电磁一次辐射从UV和/或蓝波范围中选择。电磁一次辐射的波长优选地位于100nm（包括100nm）至490nm之间的波长中。特别是，波长范围位于100至280nm之间和/或280至315nm之间和/或315至380nm之间。替代地或附加地，波长可以位于420（包括420）至490nm之间，特别是440至480nm。