[发明专利]微流体装置在审

专利信息
申请号: 201480014339.5 申请日: 2014-02-13
公开(公告)号: CN105050942A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 戈特弗里德·赖特尔;达里奥·博洛维克 申请(专利权)人: 索尼达德克奥地利股份公司
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00;B29C65/82;G01B11/16;G01B11/22;B29C65/02;B29C65/48;B01L3/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁丽超;陈鹏
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 流体 装置
【权利要求书】:

1.一种微流体装置,包括:

由第一聚合物材料制成的第一基板和由第二聚合物材料制成的第二基板,所述第一基板和所述第二基板具有相应的结合面,至少一个所述结合面具有通道形成物,使得当所述结合面通过表面变形而彼此结合时,所结合的第一基板和第二基板与所述通道形成物形成包括多个微流体通道的微流体通道网络的至少一部分,

其中,与限定所述微流体通道网络的所述通道形成物分离的一个或多个指示凹坑形成在至少一个所述结合面中,使得通过结合处理所引起的表面变形引起所述一个或多个指示凹坑的构造的变化。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述指示凹坑被布置为邻近于所述微流体通道。

3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述一个或多个指示凹坑被布置为邻近于包括以下各项中的至少一个的所述微流体通道的部件:所述微流体通道之间的接口;来自端口、贮存器或者腔的所述微流体通道的入口;来自端口、贮存器或者腔的所述微流体通道的出口;所述微流体通道中的弯曲部;以及所述微流体通道的布置了电极的部分。

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述指示凹坑与所述微流体通道流体隔离。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述指示凹坑具有在最小指示凹坑深度与最大指示凹坑深度之间的多个级或者变化的级,所述多个级中的每一个由平行于上表面和下表面布置的台顶形成。

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述微流体通道具有通道深度并且所述指示凹坑具有小于所述通道深度的最大指示凹坑深度。

7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述指示凹坑形成在具有限定所述微流体通道的大部分结构的所述第一基板和所述第二基板中的一个中。

8.根据权利要求1所述的装置,包括一个或多个邻近的指示凹坑的组,所述组中的各个指示凹坑具有各自不同的深度。

9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述基板是平坦的。

10.根据权利要求1所述的装置,其中,在所述第一基板和所述第二基板的所述结合面上的对应位置处设置至少一对凹坑,以提供用于所述装置的装配的对准指示。

11.根据权利要求1所述的装置,包括位于所述相应的结合面上的一个或多个互补的内啮合形成物。

12.一种制造微流体装置的方法,所述方法包括:

设置由相应的第一聚合物材料和第二聚合物材料制成的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板具有相应的结合面,至少一个所述结合面具有通道形成物,使得当所述结合面通过表面变形而彼此结合时,所结合的第一基板和第二基板与所述通道形成物形成包括多个微流体通道的微流体通道网络的至少一部分,其中,与限定所述微流体通道网络的所述通道形成物分离的一个或多个指示凹坑形成在至少一个所述结合面中;

在准备彼此结合时使至少一个所述结合面软化;并且

通过压缩所述第一基板和所述第二基板的所述结合面进行结合,所述压缩引起所述一个或多个指示凹坑的构造的变化。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述一个或多个指示凹坑是多级指示凹坑,使得在压缩过程中,各个指示凹坑中的至少指示凹坑级中的最浅的一个消失。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,在各个所述多级指示凹坑中存在至少两个级。

15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括:在结合期间监测所述指示凹坑中的级的数目;并且根据所述监测来控制结合。

16.根据权利要求12所述的方法,其中,设置一个或多个邻近的指示凹坑的组,所述组中的各个指示凹坑具有各自不同的深度。

17.根据权利要求16所述的方法,进一步包括:在结合期间监测所述组中剩余的指示凹坑的数目;并且根据所述监测来控制结合。

18.根据权利要求12所述的方法,其中,所述软化和所述结合选择自包括以下各项的列出项:

所述软化被加热并且所述结合是热结合;并且

所述软化被暴露于溶剂蒸汽并且所述结合是溶剂蒸汽结合。

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