[发明专利]用于过电压事件保护的设备及方法

权利要求书

1.一种用于过电压事件保护的设备，其包括：

晶闸管，其耦合到节点且经配置以使与在所述节点处的过电压事件相关联的电流放电，其中所述过电压事件包含具有超过所述晶闸管的触发电压的量值的负电压；

第一晶体管，其耦合到所述晶闸管且经配置以调整所述触发电压的所述量值；及

第二晶体管，其耦合到所述第一晶体管，其中所述第二晶体管是与所述第一晶体管合并的横向双极结型晶体管BJT，且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管共享至少两个导电区域。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管为p型场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述晶闸管包括耦合到第二BJT的第一BJT，其中所述第一BJT耦合到所述节点且所述第二BJT耦合到参考节点。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一晶体管的漏极耦合到与所述第二BJT的集电极共享的所述第一BJT的基极，且其中所述第一晶体管的源极耦合到所述参考节点。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管经配置以当处于第一状态时将所述触发电压的所述量值调整到第一电压且当处于第二状态时将所述触发电压的所述量值调整到第二电压。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一状态与操作模式相关联，且其中所述第二状态与静电放电模式相关联。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一电压大于所述第二电压。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括与所述晶闸管并联耦合到所述节点的受保护电路。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述过电压事件为静电放电ESD事件。

10.一种用于过电压事件保护的设备，其包括：

掺杂有第一掺杂剂类型的第一阱；

所述第一阱内的第一区域及第二区域，所述第一区域和所述第二区域掺杂有第二掺杂剂类型；

掺杂有所述第二掺杂剂类型的第二阱，所述第二阱在所述第一阱内；

掺杂有所述第一掺杂剂类型的所述第二阱内的第三区域；

栅极；

其中所述第一区域、所述栅极、所述第一阱及所述第二区域一起形成晶体管，其中所述第一区域、所述第一阱及所述第二区域一起形成横向双极结型晶体管，且所述第三区域、所述第二阱、所述第一阱及所述第二区域一起形成晶闸管。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第三区域、所述第二阱及所述第一阱一起形成所述晶闸管的第一双极结型晶体管BJT，且其中所述第二阱、所述第一阱及所述第二区域一起形成所述晶闸管的第二BJT。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述第三区域耦合到节点，且其中所述第二阱耦合到所述第一区域。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一掺杂剂类型为n型掺杂剂且所述第二掺杂剂类型为p型掺杂剂，且其中所述晶闸管经配置以响应于所述节点具有与触发电压相比具有更大负量值的负电压而使来自所述节点的电流放电。

14.根据权利要求13所述的设备，其中基于所述晶体管的状态调整所述触发电压，其中当所述晶体管的所述栅极的电压具有第一值时，所述晶体管处于第一状态；且当所述晶体管的所述栅极的所述电压具有第二值时，所述晶体管处于第二状态。