[发明专利]金属配线用基板清洗剂和半导体基板的清洗方法

权利要求书

1.一种用于具有金属配线的基板的清洗剂，其中，其包含pH为10以上的水溶液，所述水溶液含有(A)具有含氮杂环的羧酸和(B)烷基羟胺。

2.如权利要求1所述的清洗剂，其中，(A)具有含氮杂环的羧酸为具有含氮不饱和杂环的羧酸。

3.如权利要求1所述的清洗剂，其中，(A)具有含氮杂环的羧酸为具有含氮不饱和杂环和氨基的羧酸。

4.如权利要求3所述的清洗剂，其中，具有含氮不饱和杂环和氨基的羧酸为通式(1)所示的物质，

式中，n个R¹分别独立地表示氢原子或具有含氮不饱和杂环的基团，n表示1～3的整数，其中，n个R¹中，至少1个为具有含氮不饱和杂环的基团。

5.如权利要求3所述的清洗剂，其中，具有含氮不饱和杂环和氨基的羧酸为通式(1')所示的物质，

式中，R^1'表示含氮不饱和杂环基团。

6.如权利要求3所述的清洗剂，其中，具有含氮不饱和杂环和氨基的羧酸为组氨酸。

7.如权利要求1所述的清洗剂，其中，(B)烷基羟胺为通式(2)所示的物质，

式中，R²表示碳数1～6的烷基，R³表示氢原子或碳数1～6的烷基。

8.如权利要求1所述的清洗剂，其中，(B)烷基羟胺为N,N-二乙基羟胺或N-正丙基羟胺。

9.如权利要求1所述的清洗剂，其中，(B)烷基羟胺为N,N-二乙基羟胺。

10.如权利要求1所述的清洗剂，其中，其pH为10以上13以下。

11.如权利要求1所述的清洗剂，其中，其进一步含有(C)碱性化合物。

12.如权利要求11所述的清洗剂，其中，(C)碱性化合物为季铵盐。

13.如权利要求12所述的清洗剂，其中，季铵盐为四甲基氢氧化铵或胆碱。

14.如权利要求11所述的清洗剂，其中，其含有0.01重量％～10重量％的(A)具有含氮杂环的羧酸、0.05重量％～25重量％的(B)烷基羟胺、0.01重量％～5重量％的(C)碱性化合物。

15.如权利要求1所述的清洗剂，其中，金属配线为铜配线或铜合金配线。

16.一种半导体基板的清洗方法，其中，使用权利要求1所述的清洗剂。

17.如权利要求16所述的清洗方法，其中，半导体基板为具有铜配线或铜合金配线的半导体基板。

18.如权利要求16所述的清洗方法，其中，半导体基板为化学机械研磨(CMP)工序后的基板。

19.如权利要求17所述的清洗方法，其中，除去铜配线或铜合金配线表面的源自苯并三唑或其衍生物、喹哪啶酸或其衍生物以及喹啉酸或其衍生物的至少任一种的覆膜。

20.如权利要求17所述的清洗方法，其中，除去氢氧化铜(II)和氧化铜(II)的至少任一种。