[发明专利]具有包含InGaN的有源区的半导体发光结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构体，其包含：

In_nGa_1-nN基体层，所述In_nGa_1-nN基体层具有生长平面晶格参数大于约3.2埃的极性生长平面；

设置在所述基体层上的有源区，所述有源区包含多个InGaN层，所述多个InGaN层包含至少一个In_wGa_1-wN阱层和至少一个In_bGa_1-bN势垒层，其中0.10≤w≤0.40，0.01≤b≤0.10；

设置在所述有源区与所述In_nGa_1-nN基体层相对的一侧上的电子阻挡层；

设置在所述电子阻挡层上的p-型主体层，所述p-型主体层包含In_pGa_1-pN，其中0.00≤p≤0.08；和

设置在所述p-型主体层上的p-型接触层，所述p-型接触层包含In_cGa_1-cN，其中0.00≤c≤0.10。

2.如权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述基体层还包含生长模板，所述生长模板包含：

支持衬底；和

设置在所述支持衬底上的In_sGa_1-sN晶种层，其中，所述In_sGa_1-sN晶种层的生长平面是生长平面晶格参数大于约3.2埃的极性平面，其中0.05≤s≤0.10，且其中，所述支持衬底与所述In_sGa_1-sN晶种层之间存在键合界面。

3.如权利要求2所述的半导体结构体，其还包括设置在所述In_sGa_1-sN晶种层与所述In_nGa_1-nN基层相对的一侧上的In_spGa_1-spN间隔层，其中0.01≤sp≤0.10。

4.如权利要求1所述的半导体结构体，其还包括设置在所述有源区和所述电子阻挡层之间的In_cpGa_1-cpN封端层，其中0.01≤cp≤0.10。

5.如权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述电子阻挡层至少基本由GaN组成。

6.如权利要求1所述的半导体结构体，其还包含设置在所述In_nGa_1-nN基体层和所述有源区之间的电子阻断层，其中，所述电子阻断层包含Al_stGa_1-stN，其中0.01≤st≤0.20。

7.如权利要求1所述的半导体结构体，其还包含设置在所述In_nGa_1-nN基体层和所述有源区之间的应变消除层，所述应变消除层具有包含交替的In_sraGa_sraN层和In_srbGa_1-srbN层的超晶格结构，其中0.01≤sra≤0.10，0.01≤srb≤0.10，且其中sra大于srb。

8.如权利要求1所述的半导体结构体，其中，所述半导体结构体的临界应变能由各层厚度(以nm计)乘以各层铟含量(以％计)的乘积的总和限定，且等于或小于4500。