[发明专利]等离子体CVD装置及等离子体CVD方法

权利要求书

1.一种等离子体CVD装置，包括：

真空容器，和

在所述真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，

所述等离子体CVD电极单元包括：2个相对的阳极；阴极，其以在由所述2个相对的阳极所夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述2个阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，

所述基材保持机构配置于通过所述等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，

所述阳极和所述阴极以大致平行的方式配置，

所述阳极在气体供给方向上的长度及所述阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长，

所述阳极与所述基材保持机构之间的最短距离、及所述阴极与所述基材保持机构之间的最短距离均为50mm以上且200mm以下。

2.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，在所述阴极与所述阳极相对的面上具备等离子体产生面，在阴极内部具备用于在所述等离子体产生面的表面上形成磁控管磁场的磁铁。

3.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，所述阴极以2个以上的金属圆筒电极在所述气体供给方向上并列的方式构成，在各金属圆筒电极的内部插入有多个磁铁。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阴极在气体供给方向上的长度为50mm以上且300mm以下。

5.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阳极和所述阴极之间的间隔为13mm以上且30mm以下。

6.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述等离子体CVD电极单元在隔着所述阴极及所述阳极与所述基材保持机构相反一侧的位置处具备底面板，所述底面板与所述阴极电绝缘，在所述底面板上设置有所述第一气体供给喷嘴。

7.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，具备第二气体供给喷嘴，其以不使气体通过所述等离子体生成空间的方式供给气体。

8.如权利要求7所述的等离子体CVD装置，其中，所述第二气体供给喷嘴配置于夹在所述阴极和所述基材保持机构之间的空间内。

9.如权利要求7或8所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第二气体供给喷嘴具有多个气体供给口，

所述气体供给口的气体供给方向的至少一个，与通过所述第二气体供给喷嘴并与所述基材保持机构相垂直的平面相比，更向所述平面的所述等离子体生成空间所在的一侧倾斜。

10.如权利要求7所述的等离子体CVD装置，其中，

所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极所夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置，

在被通过所述阴极且与所述基材保持机构相垂直的平面分隔、并夹在所述2个阳极和所述基材保持机构之间的各个空间内，配置有所述第二气体供给喷嘴。

11.一种等离子体CVD方法，其中，

使用权利要求1～6中任一项所述的等离子体CVD装置，

在所述基材保持机构中保持基材，

在所述等离子体生成空间中生成等离子体，

从所述第一气体供给喷嘴通过等离子体生成空间向基材供给气体，在基材的表面形成薄膜。

12.如权利要求11所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第一气体供给喷嘴供给包含聚合性气体的气体。

13.如权利要求11所述的等离子体CVD方法，其中，

所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置，

从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给聚合性气体，

供给至所述一方的等离子体生成空间的聚合性气体与供给至所述另一方的等离子体生成空间的聚合性气体为不同的种类。