[发明专利]用于多模滤波器的电路和方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

含有第一金属氧化物半导体MOS电容器的第一电容元件；

与所述第一电容元件并联耦合的第二电容元件，其中所述第二电容元件包括第二金属氧化物半导体MOS电容器；

与所述第一电容元件和所述第二电容元件并联耦合的第三电容元件，其中所述第三电容元件包括第一金属绝缘体金属MIM电容器；以及

与所述第一电容元件、所述第二电容元件和所述第三电容元件并联耦合的第四电容元件，其中所述第四电容元件包括第二金属绝缘体金属MIM电容器。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二电容元件还包括与所述第二金属氧化物半导体MOS电容器串联耦合的第一开关，所述第四电容元件还包括与所述第二金属绝缘体金属MIM电容器串联耦合的第二开关。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一电容元件还包括与所述第一金属氧化物半导体MOS电容器串联耦合的第三开关，所述第三电容元件还包括与所述第一金属绝缘体金属MIM电容器串联耦合的第四开关。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一电容元件具有第一电容值，所述第二电容元件具有第二电容值，所述集成电路还包括：

与所述第一电容元件和所述第二电容元件并联耦合第五电容元件，其中所述第五电容元件的第一电容为所述第二电容值的第一倍数；以及

与所述第一电容元件、所述第二电容元件和所述第五电容元件并联耦合第六电容元件，其中所述第六电容元件的第四电容为所述第二电容值的第二倍数。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第一倍数为2，所述第二倍数为4。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括：

与所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件并联耦合的多个金属氧化物半导体MOS电容器；以及

与所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件、所述第四电容元件和所述多个金属氧化物半导体MOS电容器并联耦合的多个金属绝缘体金属MIM电容器。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体MOS电容器包括含有第一本体和第一栅极的NMOS电容器，所述第一电容元件还包括与所述第一本体和第一栅极的NMOS电容器串联耦合的第二NMOS电容器，所述第二NMOS电容器包括第二本体和第二栅极，以及所述第一NMOS电容器的所述第一栅极耦合到所述第二NMOS电容器的所述第二栅极。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第三电容元件还包括：

与所述第一金属绝缘体金属MIM电容器反并联耦合的第三金属绝缘体金属MIM电容器；以及

耦合到所述反并联的第一和第三金属绝缘体金属MIM电容器的第二节点的第一开关。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第三电容元件还包括耦合到所述反并联的第一和第三金属绝缘体金属MIM电容器的第一节点的第二开关。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括：

半导体基板，其中所述第一电容元件和所述第二电容元件置于所述半导体基板的表面；以及

金属互联层，其中所述第三电容元件和所述第四电容元件置于所述金属互联层中。