[发明专利]用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源

权利要求书

1.一种处理腔室，所述处理腔室包括：

至少一个电感耦合的饼形等离子体源，所述至少一个电感耦合的饼形等离子体源沿弧形路径被定位在所述处理腔室中，以便在与所述等离子体源相邻的等离子体区域中生成电感耦合等离子体，所述饼形等离子体源在内周边缘处具有狭窄的宽度，并在外周边缘处具有较大的宽度，所述饼形等离子体源包括在所述电感耦合等离子体源内的多个导电棒，所述多个导电棒与所述饼形等离子体源的径向壁成角度地延伸，所述电感耦合等离子体在狭窄的内周边缘与较宽的外周边缘之间具有基本上均匀的等离子体密度；以及

基板支撑装置，所述基板支撑装置在所述处理腔室内，所述基板支撑装置可绕所述处理腔室的中心轴旋转，以使至少一个基板沿与所述至少一个饼形等离子体源相邻的所述弧形路径移动，

其中，相比在所述外周边缘处，朝向所述饼形等离子体源的所述内周边缘，导电棒的密集度更大。

2.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述导电棒被径向地间隔开，并且所述导电棒沿所述电感耦合的饼形等离子体源的所述宽度延伸。

3.根据权利要求2所述的处理腔室，其特征在于，所述导电棒之间的间距是所述饼形等离子体源的被所述导电棒延伸穿过的宽度的函数。

4.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述多个导电棒包括重复地穿过所述饼形等离子体源的单个棒。

5.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述导电棒中的每一个导电棒都是分开的棒。

6.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述多个导电棒以相对于所述饼形等离子体源的径向壁的倾斜角度延伸，每个导电棒延伸穿过所述饼形等离子体源的长度。

7.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述饼形等离子体源还包括电介质层，所述电介质层在所述多个导电棒与其中形成等离子体的区域之间。

8.根据权利要求7所述的处理腔室，其特征在于，所述电介质层包括石英。

9.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括多个气体分布组件，所述多个气体分布组件围绕所述处理腔室的所述中心轴被间隔开，并且所述多个气体分布组件定位在所述基板支撑装置上方。

10.根据权利要求9所述的处理腔室，其特征在于，所述气体分布组件中的每一个气体分布组件包括多个伸长气体端口，所述多个伸长气体端口在与由所述至少一个基板横穿的弧形路径基本上垂直的方向上延伸，所述多个气体端口包括第一反应气体端口和第二反应气体端口，使得通过所述气体分布组件的基板将按顺序经受所述第一反应气体端口和所述第二反应气体端口以将层沉积在所述基板上。

11.根据权利要求9所述的处理腔室，其特征在于，存在多个电感耦合的饼形等离子体源，所述多个电感耦合的饼形等离子体源与所述多个气体分布组件交替，使得沿所述弧形路径移动的基板将顺序地暴露于气体分布组件和等离子体源。

12.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述基板支撑装置包括基座。

13.根据权利要求12所述的处理腔室，其特征在于，所述基座包括多个凹槽，所述多个凹槽的尺寸设定为用于支撑基板。

14.根据权利要求13所述的处理腔室，其特征在于，所述多个凹槽的尺寸设定为使得所述基板的顶表面基本上与所述基座的顶表面共面。