[发明专利]互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS超声换能器，包括：

半导体晶片，半导体晶片具有互补金属氧化物半导体集成电路；

电极；

绝缘材料，所述绝缘材料具有至少一部分地形成在所述绝缘材料中的腔；

导电层，所述导电层与所述绝缘材料接触，将所述腔密封并且具有靠近所述腔的第一侧和远离所述腔的第二侧，其中，所述电极、所述腔以及所述导电层一起至少部分地限定了超声换能器，其中所述腔在所述电极与所述导电层之间；

电接触部，所述电接触部将所述电极耦接至所述互补金属氧化物半导体集成电路；以及

导电填塞物，所述导电填塞物嵌入所述绝缘材料中，并且在所述导电层的靠近所述腔的所述第一侧上终止而不延伸过所述导电层，使得所述导电填塞物的表面与所述导电层的所述第一侧键合，其中所述导电填塞物将所述导电层电连接至所述互补金属氧化物半导体集成电路，以及

其中，所述电极与所述导电填塞物彼此电隔离。

2.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中所述导电层表示所述超声换能器的膜的第一层。

3.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中所述导电填塞物和所述导电层由相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中所述腔具有第一宽度，并且其中所述电极具有小于所述第一宽度的第二宽度。

5.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中所述腔具有第一宽度，并且其中所述电极具有大于所述第一宽度的第二宽度。

6.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中所述导电层表示在硅晶片上的涂层。

7.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，还包括耦接至所述电极的膜阻挡层。

8.根据权利要求1所述的CMOS超声换能器，其中，所述导电层的厚度小于5微米。