[发明专利]具有薄导电元件的化学设备有效

专利信息
申请号: 201480016057.9 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN105051525B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: K.费夫;J.欧文斯;S.李;J.巴斯蒂洛 申请(专利权)人: 生命科技公司
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 赵华伟;谭祐祥
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 导电 元件 化学 设备
【说明书】:

在一个实施方式中,描述了化学设备。传感器包括化学灵敏的场效应晶体管,其包括具有多个彼此电耦联的浮栅导体的浮栅结构。导电元件叠加并且与多个浮栅导体中的最上浮栅导体通信。导电元件比最上浮栅导体更宽和更薄。电介质材料限定延伸至导电元件的上表面的开孔。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年8月22日提交的美国临时申请号61/868,942和2013年3月15日提交的61/790,866的优先权,其全部内容通过引用以它们的整体并入本文。

技术领域

本公开,一般而言,涉及用于化学分析的传感器,和涉及制造这样的传感器的方法。

背景技术

各种类型的化学设备已经用于化学过程的检测。一种类型是化学灵敏的场效应晶体管(chemFET)。chemFET包括由通道区域分开的源极和漏极,和偶联至通道区域的化学灵敏区域。ChemFET的运转是基于通道电导的调制,其是由于附近发生的化学反应在灵敏区域的电荷的改变造成的。通道电导的调制改变chemFET的阈值电压,其可被测量,以检测和/或测定化学反应的特征。可,例如,通过通过施加适当的偏压电压至源极和漏极,和测量流过chemFET的所得电流来测量阈值电压。作为另一实施例,可通过驱动已知电流通过chemFET,和测量在源极或漏极的所得电压。

离子灵敏的场效应晶体管(ISFET)是在灵敏区域包括离子灵敏的层的一类chemFET。分析物溶液中离子的存在改变离子灵敏的层和分析物溶液之间界面处的表面电位,其是由于分析物溶液中存在的离子造成的表面电荷基团的质子化或去质子化。ISFET的灵敏区域处表面电位的改变影响可测量的设备的阈值电压,以指示溶液中离子的存在和/或浓度。ISFET阵列可用于监测化学反应,比如DNA测序反应,其基于反应期间离子存在的检测,产生,或使用。见,例如,Rothberg等的美国专利号7,948,015,其通过引用以其整体并入本文。更一般而言,大的chemFET阵列或其他类型的化学设备可用于检测和测量各种过程中各种分析物(例如氢离子、其他离子、化合物等)的静态和/或动态量或浓度。过程可以是例如生物或化学反应、细胞或组织培养或监测天然活性、核酸测序等。

操作大尺寸化学设备阵列出现的问题是传感器输出信号容易遭受噪声的影响。具体而言,噪声影响用于测定通过传感器检测的化学和/或生物过程的特征的下游信号处理的精确性。所以期望提供设备,包括低噪声化学设备,和制造这样的设备的方法。

发明内容

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