[发明专利]摄像元件和摄像装置有效
申请号: | 201480016380.6 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN105190890B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
本发明披露了一种摄像元件,其设置有:第一像素和第二像素,所述第一像素和所述第二像素均包括受光部和聚光部,所述受光部包括光电转换元件,所述聚光部被构造成使入射光能够朝着所述受光部聚集;凹槽,所述凹槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间;第一遮光膜,所述第一遮光膜被埋入所述凹槽中;以及第二遮光膜,所述第二遮光膜被形成于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处,且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。
技术领域
本发明涉及具有焦点检测功能的摄像元件和包括该摄像元件的摄像装置。
背景技术
摄影机、数码相机等采用了由诸如电荷耦合器件(CCD:Charge Coupled Device)、或互补金属氧化物半导体(CMOS:Complementary Metal-Oxide Semiconductor)等图像传感器构成的半导体摄像装置(摄像装置)。在这些摄像装置中,各元件设置有包括光电二极管的受光部。在所述受光部中,入射光被光电转换从而生成信号电荷。
近年来,已经开发了其中将摄像装置中的一些摄像像素用于相位检测以便提高自动聚焦(AF:automatic focusing)速度的系统(成像面相位差检测系统)。该相位差检测系统涉及到利用二维传感器以光瞳分割方式进行的焦点检测,在该二维传感器中,图像传感器内的各像素设置有片上透镜。
在这样的摄像装置中,已经对用于获得在摄像用像素(摄像像素)和焦点检测用像素(成像面相位差像素)中所期望的受光特性的技术做出了一些报道。例如,已经披露了如下的摄像装置:在该摄像装置中,片上透镜的曲率具有多变性,或针对于各像素而言片上透镜的放置面能够处于沿光轴方向的不同水平面处,由此调节入射光的聚光点(例如,参照专利文献1和专利文献2)。而且,已经披露了如下的摄像装置:在该摄像装置中,由不透明的导电材料制成的元件隔离层被设置于硅基板的处于光入射侧的后表面侧上,这使得能够既提高光瞳分割性能又提高感光度(例如,参照专利文献3)。此外,已经披露了如下的摄像装置:在该摄像装置中,为多个成像面相位差像素分配了一个片上透镜,这些成像面相位差像素的受光表面能够位于不同水平面处(例如,参照专利文献4)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利特表JP 2008-522245W
专利文献2:日本专利特开JP 2011-54350A
专利文献3:日本专利特开JP 2012-84816A
专利文献4:日本专利特开JP 2008-71920A
发明内容
然而,当使片上透镜的曲率具有多变性或使得摄像像素的受光表面处于与成像面相位差像素的受光表面不同的水平面处时,这虽然提高了AF特性,但是可能会导致因倾斜入射的光穿过相邻像素而发生混色的缺点。
因此,目前期望的是,提供能够在抑制相邻像素之间的混色的同时提高相位差检测精度的摄像元件和摄像装置。
根据本技术实施例的摄像元件包括:第一像素和第二像素,这两种像素均包括受光部和聚光部,其中所述受光部包括光电转换元件,且所述聚光部被构造成使得入射光能够朝着所述受光部聚集;沟槽,所述沟槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间;第一遮光膜,所述第一遮光膜被埋入所述沟槽中;以及第二遮光膜,所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处,且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。
根据本技术实施例的摄像装置包括上述的根据本技术的摄像元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的