[发明专利]具有双向开关特性的双端子开关元件和电阻存储交叉点阵列有效

申请号：	201480016707.X	申请日：	2014-03-21
公开（公告）号：	CN105144383B	公开（公告）日：	2019-11-19
发明（设计）人：	洪镇杓;裵闰喆;A·R·李;白光昊	申请（专利权）人：	汉阳大学校产学协力团
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/12;H01L29/70;H01L21/329;H01L27/22;H01L45/00;H01L21/77
代理公司：	72002 永新专利商标代理有限公司	代理人：	张海涛;于辉<国际申请>=PCT/KR2
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	具有双向开关特性端子元件包括电阻存储交叉点阵以及制造交叉点阵列方法
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【权利要求书】：

1.双端子开关元件，包括：

第一电极；

第二电极；

电连接到第一电极和第二电极上的一对第一导电型金属氧化物半导体层；和

布置在第一导电型金属氧化物半导体层之间的第二导电型金属氧化物半导体层，

其中所述第二导电型金属氧化物半导体层的厚度是1-5nm，以便在第一电极和第二电极之间施加绝对值大于阈值电压的电压时，在整个第二导电型金属氧化物半导体层形成耗尽层，

第一导电型金属氧化物半导体和第二导电型金属氧化物半导体中任何一个是P-型金属氧化物半导体且另一个是N-型金属氧化物半导体，

并且所述P-型金属氧化物半导体包括CoO_x，1.3<x≤1.5。

2.权利要求1的元件，其中所述第一导电型金属氧化物半导体层是相同的材料层。

3.权利要求1的元件，其中每个P-型金属氧化物半导体层的带隙小于等于3eV。

4.权利要求1的元件，其中N-型金属氧化物半导体层是选自于由ZnO、SnO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、InSnO、GaInO、ZnInO、ZnSnO、InGaZnO、TiO₂、CeO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、LaO₂、NbO₂、LiNbO₃、BaSrTiO₃、SrTiO₃、ZrO₂、SrZrO₃、Nb-掺杂的SrTiO₃、Cr-掺杂的SrTiO₃、和Cr-掺杂的SrZrO₃所组成的组中的一种金属氧化物层。