[发明专利]氧氮化物荧光体粉末及其制造方法

权利要求书

1.氧氮化物荧光体粉末，其包含由下述组成式表示的α型赛隆：

Ca_x1Eu_x2Si_12-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z

式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0。

2.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，通过被450nm的波长的光激发，从而发出峰值波长在605nm～615nm的波长范围的荧光，此时的外部量子效率为54％以上。

3.权利要求1或2所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，用激光衍射/散射式粒度分布测定装置测定的粒度分布曲线中的50％径(D₅₀)为10.0～20.0μm，并且比表面积为0.2～0.6m²/g。

4.权利要求1～3的任一项所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，氧氮化物荧光体粉末还包含50～10,000ppm的Li。

5.氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末，其特征在于，是作为用于制造权利要求1～4的任一项所述的氧氮化物荧光体粉末的原料而使用的结晶氮化硅粉末，氧含量为0.2～0.9质量％，平均粒径为1.0～12.0μm，比表面积为0.2～3.0m²/g。

6.权利要求1～3的任一项所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，具有：

通过以成为下述组成式所示的组成的方式，将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质、和成为铕源的物质混合，在非活性气体气氛中、1500～2000℃的温度范围下烧成，从而得到由上述通式表示的氧氮化物烧成物的第1工序：

Ca_x1Eu_x2Si_12-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z

式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤0.10；

对上述氧氮化物烧成物进行热处理的第2工序。

7.权利要求6所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，上述成为硅源的物质为氮化硅粉末，上述氮化硅粉末的氧含量为0.2～0.9质量％，平均粒径为1.0～12.0μm，比表面积为0.2～3.0m²/g。

8.权利要求6所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，在非活性气体气氛中或还原气氛中、1100～1600℃的温度范围下进行上述第2工序的热处理。

9.权利要求6所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，在非活性气体气氛中或还原气体气氛中、1450℃～不到上述烧成温度的温度下、Li存在的条件下进行上述第2工序的热处理。

10.权利要求9所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，通过上述第2工序的热处理，得到包含50～10,000ppm的Li的氧氮化物荧光体粉末。