[发明专利]用于累积和测量缓慢改变的电荷的系统和方法有效
| 申请号： | 201480017085.2 | 申请日： | 2014-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105229479B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 兹比格涅夫·索辛;马列克·亚当奇克;马切伊·索辛;帕维乌·拉斯科 | 申请（专利权）人： | 雅盖隆大学 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24;H03F3/70 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 波兰克*** | 国省代码： | 波兰;PL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 累积 测量 缓慢 改变 电荷 系统 方法 | ||
1.一种用于测量电荷的系统，包括
被连接至电荷积分器的电容检测器，电荷积分器为具有电容反馈的运算放大器，
其中，所述电荷积分器的输入级包括一对对称连接的补偿JFET晶体管，它们的栅极被连接至所述电荷积分器的输入，
其中所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的n-型晶体管的漏极被连接至自动的电压控制系统，
其中pnp晶体管和npn晶体管串联连接在所述一对对称连接的补偿JFET晶体管的后级，
其中所述n-型晶体管连接到所述pnp晶体管的发射极，
其中所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的p-型晶体管连接到所述npn晶体管的发射极和电流值可调整的调节电源，
其中所述自动的电压控制系统用于：在测量电荷时，通过调整n-型晶体管的漏极电压只要n-型晶体管工作在雪崩区域中，利用n-型晶体管的栅电流的绝对值，来均衡所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的p-型晶体管的栅电流的绝对值。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述n-型晶体管的漏极由电源供电，电源的电流与所述n-型晶体管的漏极的电压电位无关。
3.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述调节电源被连接至p-型晶体管的漏极。
4.一种用于通过系统测量电荷的方法，所述系统包括被连接至电荷积分器的电容检测器，电荷积分器为具有电容反馈的运算放大器，
其中，电荷积分器的输入级包括一对对称连接的补偿JFET晶体管，它们的栅极被连接至所述电荷积分器的输入，
其中，所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的n-型晶体管的漏极被连接至电压控制系统，
其中pnp晶体管和npn晶体管并联连接在所述一对对称连接的补偿JFET晶体管的后级，
其中所述n-型晶体管连接到所述pnp晶体管的发射极，
其中所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的p-型晶体管连接到所述npn晶体管的发射极和电流值可调整的调节电源，
其中所述方法包括，在测量电荷时，利用所述电压控制系统，通过调整n-型晶体管的漏极电压只要n-型晶体管工作在雪崩区域中，利用n-型晶体管的栅电流的绝对值，来均衡所述一对对称连接的补偿JFET晶体管中的p-型晶体管的栅电流的绝对值。
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