[发明专利]放置台及等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201480017103.7 申请日: 2014-03-26
公开(公告)号: CN105051871B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 出村健介 申请(专利权)人: 芝浦机械电子株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 周善来;王玉玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放置台 等离子体处理装置 还原性自由基 被处理基板 放置面 还原反应 邻接 覆盖 俯视
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:

处理容器,能够维持低于大气压的气氛;

放置台,设置在所述处理容器内,用于放置由还原性自由基进行处理的被处理基板;

等离子体发生部,具有等离子体发生区域和气体供给部,所述气体供给部向所述等离子体发生区域导入还原性气体;及

开口部,设置在比所述放置台靠上方,将气体供给到所述处理容器内,所述气体包含由所述等离子体发生部产生的还原性自由基,

所述放置台具备:在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面;邻接于所述放置面、未被所述被处理基板覆盖并与含有还原性自由基的气体碰撞的非放置面;及放置部,所述放置部在所述处理中,以从所述放置面突出而在所述被处理基板的背面与所述放置面之间形成间隔的方式保持所述被处理基板,

在所述被处理基板被放置在所述放置部时,所述非放置面位于比所述被处理基板的处理面靠下方,

所述放置面及所述非放置面的表面由与还原性自由基不发生还原反应且抑制还原性自由基失去活性的材料所覆盖。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,所述材料是硅即Si或者是无杂质的金属材料。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,所述还原性自由基是氢自由基。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,所述被处理基板是石英基板。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,所述非放置面的面积大于所述被处理基板的面积。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,所述非放置面包括可装卸于所述放置台的基座的表面。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征为,

所述等离子体发生部具备:放电管,通过气体搬运部连接于所述处理容器,在内部具有等离子体发生区域;

气体导入单元,向所述等离子体发生区域导入含氢的气体;

及微波导入单元,向所述等离子体发生区域导入微波。

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