[发明专利]光发电装置

权利要求书

1.一种光发电装置，其具备：多层状的光伏元件；以及层叠在所述光伏元件的一个面上的第一集电构件和层叠在另一个面上的第二集电构件，

所述光伏元件具有：n型晶体半导体基板；依次层叠在所述n型晶体半导体基板的所述第一集电构件侧的第一本征非晶系硅薄膜、p型非晶系硅薄膜和第一透明导电膜；以及依次层叠在所述n型晶体半导体基板的所述第二集电构件侧的n型非晶系硅薄膜和第二透明导电膜，

所述第一集电构件具有：多个母线电极I，以彼此平行的方式形成；以及多个指状电极I，与所述母线电极I连接，以彼此平行的方式形成，

所述第二集电构件具有：多个母线电极II，以彼此平行的方式形成；以及多个指状电极II，与所述母线电极II连接，以彼此平行的方式形成，

所述光发电装置的特征在于，所述p型非晶系硅薄膜的膜厚为1nm以上且小于5nm，

所述第一透明导电膜表面中的所述第一集电构件的非层叠区域的最大宽度小于2mm，

所述指状电极I的间隔为0.1mm以上且小于2mm，

所述n型非晶系硅薄膜的膜厚为3nm以上且为10nm以下，

所述指状电极II的间隔大于2mm且为4mm以下。

2.根据权利要求1所述的光发电装置，其特征在于，所述第一透明导电膜是通过离子镀法形成的。

3.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，所述第二集电构件侧被用作光入射面。

4.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，所述第一集电构件侧被用作光入射面。

5.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，具有第二本征非晶系硅薄膜，所述第二本征非晶系硅薄膜层叠在所述n型晶体半导体基板和所述n型非晶系硅薄膜之间。

6.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，所述n型晶体半导体基板是通过外延生长法制造的。

7.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，所述n型晶体半导体基板的电阻率为0.5Ωcm以上5Ωcm以下。

8.根据权利要求1或2所述的光发电装置，其特征在于，所述n型晶体半导体基板的厚度为50μm以上200μm以下。

9.根据权利要求8所述的光发电装置，其特征在于，所述n型晶体半导体基板的厚度为80μm以上150μm以下。