[发明专利]限幅器中的电容性负载的电感隔离在审

专利信息
申请号: 201480017145.0 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN105103445A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: R·C·塔夫脱;A·博德姆 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H03G11/00 分类号: H03G11/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民;徐东升
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 限幅器 中的 电容 负载 电感 隔离
【权利要求书】:

1.一种限幅器电路,其包括:

电感器,所述电感器具有连接到输入节点的第一端子;和

分流电路,所述分流电路被连接到所述电感器的第二端子,所述分流电路还被连接到低阻抗节点和所述输入节点,其中所述分流电路的寄生电容通过所述电感器与所述输入节点隔离;

其中,所述输入节点上的过压情况使得所述分流电路形成从所述输入节点开始,通过所述电感器,通过所述分流电路并到达所述低阻抗节点的过压电流路径。

2.根据权利要求1所述的限幅器电路,其中所述分流电路包括被连接到所述电感器的所述第二端子的第一晶体管,所述第一晶体管还被连接到所述低阻抗节点。

3.根据权利要求2所述的限幅器电路,其中所述分流电路进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管被连接到所述输入节点和所述第一晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的限幅器电路,其中所述分流电路进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管被连接到所述电感器的所述第二端子和所述第一晶体管的栅极。

5.根据权利要求1所述的限幅器电路,其中在不存在过压情况时,所述分流电路不形成所述过压电流路径。

6.根据权利要求1所述的限幅器电路,其进一步包括选择性地启用和禁用所述分流电路的晶体管。

7.一种限幅器电路,其包括:

电感器,所述电感器具有被连接到输入节点的第一端子;

第一晶体管,所述第一晶体管被连接到所述电感器的第二端子,所述第一晶体管还被连接到低阻抗节点,其中所述第一电容器的寄生电容通过所述电感器与所述输入节点隔离;和

第二晶体管,所述第二晶体管被连接到所述输入节点和所述第一晶体管的栅极;

其中所述输入节点上的过压情况使得所述第二晶体管传导从而导通所述第一晶体管,这进而使得从所述输入节点开始,通过所述电感器,通过所述第一晶体管并到达所述低阻抗节点的过压电流路径形成。

8.根据权利要求7所述的限幅器电路,其进一步包括也被连接到所述电感器的所述第二端子的输入终端电阻器。

9.根据权利要求7所述的限幅器电路,其中在不存在过压情况时,所述第一晶体管和第二晶体管都关断。

10.根据权利要求7所述的限幅器电路,其进一步包括第三电阻器,所述第三电阻器被连接在由第一晶体管的栅极形成的节点和所述低阻抗节点之间。

11.根据权利要求7所述的限幅器电路,其进一步包括选择性地禁用所述限幅器电路的第三晶体管和第四晶体管。

12.根据权利要求7所述的限幅器电路,其中限幅器不包括除所述第一和第二晶体管之外的晶体管。

13.一种系统,其包括:

主机;和

限幅器,所述限幅器用于限制输入信号的幅值并将限幅信号提供给主机;

其中所述限幅器包括电感器、第一晶体管以及第二晶体管,所述电感器具有被连接到输入节点的第一端子,所述第一晶体管被连接到所述电感器的第二端子,所述第一晶体管还被连接到低阻抗节点,所述第二晶体管被连接到所述输入节点并且到所述第一晶体管的栅极,并且其中所述第一晶体管的寄生电容通过所述电感器与所述输入节点隔离;以及

其中所述输入节点上的过压情况使得所述第二晶体管传导从而导通所述第一晶体管,这进而使得从所述输入节点开始,通过所述电感器,通过所述第一晶体管并到达低阻抗节点的过压电流路径形成。

14.根据权利要求13所述的系统,进一步包括也被连接到所述电感器的第二端子的输入终端电阻。

15.根据权利要求13所述的系统,其中在不存在过压情况时,所述第一晶体管和第二晶体管都断开。

16.根据权利要求13所述的系统,其进一步包括第二电阻器,所述第二电阻器被连接在由所述第一晶体管的所述栅极形成的节点和所述低阻抗节点之间。

17.根据权利要求13所述的系统,其进一步包括选择性地禁用所述限幅器电路的第三晶体管和第四晶体管。

18.根据权利要求13所述的系统,其中所述限幅器不包括除所述第一晶体管和所述第二晶体管之外的晶体管。

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