[发明专利]非水电解质二次电池在审
| 申请号： | 201480017211.4 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105074973A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 南博之;横井麻衣;明乐达哉;井町直希;砂野泰三 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种非水电解质二次电池，其是具备包含由通式SiOx(0＜x＜2)所表示的物质的负极活性物质的非水电解质二次电池，
在所述物质的表面将所述通式中的x的值设为xs、在所述物质的中心部将所述通式中的x的值设为xb时，xb＜xs，
将所述物质的达到x＝(xs+xb)/2的距最表面的深度设为za(μm)、将所述物质的平均粒径设为R(μm)时，0.05＜za、0.025≤za/R≤0.4。
2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述物质的表面被电子导电性材料覆盖，
所述电子导电性材料对于所述物质的表面的覆盖率小于100％，
所述电子导电性材料附着在所述物质的表面。
3.根据权利要求2所述的非水电解质二次电池，其中，所述电子导电性材料对于所述物质的表面的覆盖率为5％～80％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，从所述物质的表面至za的区域具备硅酸锂相。
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