[发明专利]有源矩阵基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有栅极总线和数据总线的有源矩阵基板以及使用了该有源矩阵基板的显示装置。

背景技术

近年来，例如液晶显示装置作为与以往的布劳恩管相比具有薄型、重量轻等特长的平板显示器，已广泛用于液晶电视、监视器、便携电话等。在这样的液晶显示装置中，已知将有源矩阵基板用于作为显示面板的液晶面板的情况，在上述有源矩阵基板中，多个数据总线(源极配线)和多个栅极总线(扫描配线)配设为矩阵状，并且像素配置为矩阵状，上述像素在数据总线与栅极总线的交叉部的附近具有薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)等开关元件和连接到该开关元件的像素电极。

另外，在上述这样的现有的有源矩阵基板中，例如像下述专利文献1所记载的这样，已提出以覆盖有机绝缘膜PAS的方式设置含有SiN的第2无机绝缘膜IN3，从而使辅助电容变大。

具体地说，在该现有的有源矩阵基板中，栅极绝缘膜GI以覆盖上述栅极总线的方式设置，并且该层间绝缘膜IN1、含有SiN的第1无机绝缘膜IN2以及有机绝缘膜PAS依次设置在栅极绝缘膜GI上。另外，在有机绝缘膜PAS上，设置有相对电极(共用电极)CT和反射膜RAL，并且以覆盖有机绝缘膜PAS、相对电极(共用电极)CT和反射膜RAL的方式且以与第1无机绝缘膜IN2接触的方式设置有上述第2无机绝缘膜IN3。而且，在第2无机绝缘膜IN3上设置有像素电极PX，辅助电容包括相对电极CT、第2无机绝缘膜IN3和像素电极PX。并且，在该现有的有源矩阵基板中，如上所述，通过设置含有SiN的第2无机绝缘膜IN3，能使辅助电容变大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2007-328210号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述这样的现有的有源矩阵基板中，第2无机绝缘膜(第3绝缘层)IN3是以覆盖有机绝缘膜(第2绝缘层)PAS的方式且以与第1无机绝缘膜(第1绝缘层)IN2接触的方式设置。因此，在该现有的有源矩阵基板中，存在如下问题：在第1无机绝缘膜IN2与第2无机绝缘膜IN3的界面(接触面)，由于第1无机绝缘膜IN2与有机绝缘膜PAS的热膨胀系数的差异而导致第2无机绝缘膜IN3产生变形、剥落等异常。

鉴于上述的问题，本发明的目的在于，提供能够防止由于第1绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第1绝缘层的界面处产生异常的有源矩阵基板和使用了该有源矩阵基板的显示装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明的有源矩阵基板具有：基材；栅极总线，其设置在上述基材上；以及数据总线，其设置在与上述栅极总线隔着绝缘膜而不同的层，上述有源矩阵基板的特征在于，

具备：第1绝缘层，其设置在上述绝缘膜上；

第2绝缘层，其设置在上述第1绝缘层上，并且热膨胀系数与该第1绝缘层相互不同；以及，

第3绝缘层，其以覆盖上述第2绝缘层的方式设置，并且其一部分与上述第1绝缘层接触，

在上述绝缘膜上，在不存在上述第2绝缘层的上述第3绝缘层的部分设置有切口部的至少一部分。

在如上所述构成的有源矩阵基板中，切口部的至少一部分设置于绝缘膜上不存在第2绝缘层的第3绝缘层的部分。由此，与上述现有例不同，能够防止由于第1绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第1绝缘层的界面处产生异常。

另外，在上述有源矩阵基板中优选：具备设置在上述绝缘膜的下方并且连接到上述栅极总线或者上述数据总线的引出配线，

在上述绝缘膜上具有至少设置在上述引出配线的上方并且在上述切口部中露出的第1导电层。

在该情况下，能够利用第1导电层保护引出配线，能够可靠地防止该引出配线产生断线。

另外，在上述有源矩阵基板中优选：上述第1导电层包括与上述数据总线相同的导电层。

在该情况下，能够容易地构成结构简单且简化了制造工序的有源矩阵基板。

另外，在上述有源矩阵基板中优选：在上述第1绝缘层上具有至少设置在上述引出配线的上方并且在上述切口部中露出的第2导电层。

在该情况下，能够利用第2导电层保护引出配线，能够可靠地防止该引出配线产生断线。