[发明专利]芳香族杂环化合物、其制造方法、及其应用有效

申请号：	201480017557.4	申请日：	2014-03-17
公开（公告）号：	CN105073754B	公开（公告）日：	2018-07-06
发明（设计）人：	川田敦志;长浜拓男;林田広幸;桝谷浩太	申请（专利权）人：	新日铁住金化学株式会社
主分类号：	C07D495/04	分类号：	C07D495/04;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;C07D491/048
代理公司：	北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205	代理人：	杨文娟;臧建明
地址：	日本东京千代***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	芳香族杂环化合物有机半导体材料有机薄膜晶体管有机半导体膜有机光伏元件溶剂可溶性氧化稳定性有机元件电荷迁移性氧原子杂原子式中缩合应用制造
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种芳香族杂环化合物，其是由下述通式(1)所表示：

此处，X表示氧原子或N-R，R分别独立地为氢原子、或选自由卤素原子、羟基、经取代或未经取代的碳数1～12的脂肪族烃基、经取代或未经取代的碳数1～12的烷氧基、硫醇基、经取代或未经取代的碳数1～12的磺酰基、氰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、由经取代或未经取代的碳数8～26的芳香族烃所取代的炔基、由经取代或未经取代的碳数6～26的芳香族杂环所取代的炔基、由经取代或未经取代的碳数8～26的芳香族烃所取代的烯基、由经取代或未经取代的碳数6～26的芳香族杂环所取代的烯基、经取代或未经取代的碳数5～20的烷基硅烷基炔基、经取代或未经取代的碳数3～20的烷基硅烷基、经取代或未经取代的硅数1～20的硅氧烷基、经取代或未经取代的硅数1～20的硅氧烷烷基、以及经取代或未经取代的硅数1～20的聚硅烷基所组成的组群中的一价基，a、c为1～2的整数，b、d为整数1。

2.根据权利要求1所述的芳香族杂环化合物，其中R的至少一个为选自由卤素原子、经取代或未经取代的碳数1～12的脂肪族烃基、经取代或未经取代的碳数1～12的烷氧基、硫醇基、经取代或未经取代的碳数1～12的磺酰基、氰基、经取代或未经取代的碳数6～24的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、由经取代或未经取代的碳数8～26的芳香族烃所取代的炔基、由经取代或未经取代的碳数6～26的芳香族杂环所取代的炔基、由经取代或未经取代的碳数8～26的芳香族烃所取代的烯基、由经取代或未经取代的碳数6～26的芳香族杂环所取代的烯基、经取代或未经取代的碳数5～20的烷基硅烷基炔基、经取代或未经取代的碳数3～20的烷基硅烷基、经取代或未经取代的硅数1～20的硅氧烷基、经取代或未经取代的硅数1～20的硅氧烷烷基、以及经取代或未经取代的硅数1～20的聚硅烷基所组成的组群中的一价基。

3.根据权利要求1所述的芳香族杂环化合物，其是由下述通式(2)所表示：

此处，X及R与通式(1)的X及R含义相同。

4.一种制造根据权利要求2所述的芳香族杂环化合物的制造方法，其特征在于：使下述通式(7)所表示的芳香族杂环化合物与下述通式(8)所表示的化合物进行反应，而制成将通式(7)中的X₁取代为R的化合物，

此处，X与通式(1)的X含义相同；X₁分别独立地表示选自卤素原子、羟基、-B(OH)₂、磺酰基、三氟甲磺酸盐、九氟丁磺酸盐、氟磺酸酯、甲苯磺酸盐中的反应性基或者通式(1)的R，至少一个表示所述反应性基；e、g为1～4的整数，f、h为1～2的整数；

R-Y (8)

此处，R与通式(1)的R含义相同，Y是能够与通式(7)的X₁进行反应，作为X₁-Y而脱离，从而将X₁取代为R的基团。

5.一种有机半导体材料，其特征在于：含有根据权利要求1至3中任一项所述的芳香族杂环化合物。

6.一种有机半导体膜，其特征在于：由根据权利要求5所述的有机半导体材料所形成。

7.一种有机半导体膜，其特征在于：经过将根据权利要求5所述的有机半导体材料溶解于有机溶剂中，将所制备的溶液进行涂布·干燥的步骤而形成。

8.一种有机半导体元件，其特征在于：使用根据权利要求5所述的有机半导体材料。

9.一种有机薄膜晶体管，其特征在于：将根据权利要求5所述的有机半导体材料用于半导体层。

10.一种有机光伏元件，其特征在于：将根据权利要求5所述的有机半导体材料用于半导体层。