[发明专利]虚拟电阻电路以及电荷检测电路

权利要求书

1.一种虚拟电阻电路，具备：

第1场效应晶体管；

第2场效应晶体管，其具有与所述第1场效应晶体管的电特性匹配的电特性；

分压电路，其电连接有基准电阻元件的一个端部以及所述第2场效应晶体管的源极端子；

第1运算放大器，其具有反相输入端子、正相输入端子、以及与所述第1场效应晶体管的栅极端子及所述第2场效应晶体管的栅极端子电连接的输出端子，所述分压电路的中点电压被输入到所述反相输入端子以及所述正相输入端子中的任一方，并且基准电压被输入到所述反相输入端子以及所述正相输入端子中的另一方；和

第2运算放大器，其对所述基准电阻元件的另一个端部，输入对所述第1场效应晶体管的漏极端子的漏极电压进行反相放大后的电压，该第1场效应晶体管的漏极端子与所述第2场效应晶体管的漏极端子电连接。

2.根据权利要求1所述的虚拟电阻电路，其中，

还具备绝对值电路，其对所述第2运算放大器的输入侧端子以及所述第2场效应晶体管的所述漏极端子输入所述第1场效应晶体管的漏极电压的绝对值电压。

3.根据权利要求1所述的虚拟电阻电路，其中，

在与所述第2运算放大器的输入侧端子电连接的所述第2场效应晶体管的所述漏极端子和所述第1场效应晶体管的漏极端子之间，进一步具备第1电压源。

4.根据权利要求3所述的虚拟电阻电路，其中，

所述第1电压源是具备PTAT电流源和电阻元件的浮置电压源。

5.根据权利要求1至4的任意一项所述的虚拟电阻电路，其中，

在将所述第1场效应晶体管的所述栅极端子与所述第2场效应晶体管的所述栅极端子电连接的电布线，进一步具备第2电压源。

6.根据权利要求5所述的虚拟电阻电路，其中，

所述第2电压源是具备PTAT电流源和电阻元件的浮置电压源。

7.一种电荷检测电路，具备：

权利要求1至6的任意一项所述的虚拟电阻电路；

第3运算放大器，其具有：与所述第1场效应晶体管的源极端子电连接的反相输入端子、输入基准电压的正相输入端子、以及与所述第1场效应晶体管的所述漏极端子电连接的输出端子；和

电容器，其电连接在所述第3运算放大器的所述反相输入端子与所述第3运算放大器的所述输出端子之间以及所述第1场效应晶体管的所述源极端子与所述第1场效应晶体管的漏极端子之间。