[发明专利]氧氮化物荧光体粉末及其制造方法

权利要求书

1.氧氮化物荧光体粉末，其含有α型塞隆和氮化铝，由下述组成式表示，

Ca_x1Eu_x2Si_12-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z

式中，x1、x2、y、z满足：1.60≤x1+x2≤2.90、0.18≤x2/x1≤0.70、4.0≤y≤6.5、0.0≤z≤1.0。

2.权利要求1所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，在上述组成式中，氮化铝的含量在大于0质量％至小于33质量％的范围。

3.权利要求1或2所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，其还含有50～10000ppm的Li。

4.权利要求1或2所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，通过以450nm波长的光进行激发，发出峰波长处于610nm～625nm波长区域的荧光，此时的外量子效率在50％以上。

5.权利要求1或2所述的氧氮化物荧光体粉末，其特征在于，在用激光衍射/散射式粒度分布测定装置测定的粒度分布曲线中的50％粒径(D₅₀)为10.0～20.0μm，且比表面积为0.2～0.6m²/g。

6.权利要求1～5任一项所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，具有下述的第1工序和第2工序：

第1工序，得到氧氮化物焙烧物，该工序包括：按照由组成式：

Ca_x1Eu_x2Si_12-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z

式中，x1、x2、y、z满足：

1.60≤x1+x2≤2.90、

0.18≤x2/x1≤0.70、

4.0≤y≤6.5、

0.0≤z≤1.0

表示的组成，将构成硅源的物质、构成铝源的物质、构成钙源的物质和构成铕源的物质混合，在惰性气体气氛中，在1500～2000℃的温度范围进行焙烧，由此得到由上述通式表示的氧氮化物焙烧物；

第2工序，对上述氧氮化物焙烧物进行热处理。

7.权利要求6所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，在惰性气体气氛中或在还原性气氛中、在1100～1600℃的温度范围，进行上述第2工序的热处理。

8.权利要求6所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，在Li存在的条件下、在惰性气体气氛中或者在还原性气氛中、在1450℃～低于上述焙烧温度的温度下，进行上述第2工序的热处理。

9.权利要求8所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，上述在Li存在的条件下的热处理采用以下的任一种方法进行：

i)在作为中间体的氧氮化物焙烧物中混合Li化合物进行热处理的方法，

ii)事先在用于热处理的坩埚中放入Li化合物，在1200～1600℃的温度范围进行焙烧，使用该坩埚，对作为中间体的氧氮化物焙烧物进行热处理的方法，以及

iii)将放有氧氮化物焙烧物的坩埚与放有Li化合物的坩埚同时在惰性气体气氛中或者在还原性气体气氛中进行热处理的方法。

10.权利要求9所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，上述Li化合物为选自碳酸锂、氧化锂、和氮化锂中的至少一种。

11.权利要求6～10任一项所述的氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，上述构成硅源的物质为氮化硅粉末，上述氮化硅粉末的氧含量为0.2～0.9质量％，平均粒径为1.0～12.0μm，比表面积为0.2～3.0m²/g。