[发明专利]用于半导体的多价光催化非均质材料有效
| 申请号： | 201480017897.7 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105163847B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 伊坎巴拉姆·山姆班登;张彬 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B01J23/00 | 分类号： | B01J23/00;B01J23/72;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 光催化 非均质 材料 | ||
1.非均质材料，其包含
p型半导体，其包含第一金属氧化物化合物和第二金属氧化物化合物，其中所述第一金属氧化物化合物和所述第二金属氧化物化合物具有相同金属的不同氧化态，且其中所述p型半导体具有p型价带；和
n型半导体，其具有比p型价带更深的n型价带，其中所述n型半导体与所述p型半导体处于离子电荷连通，
其中，所述p型半导体包含铜(I)和铜(II)，所述p型半导体包含CuxO，
所述n型半导体包含Sn-Ti(O,C,N)2。
2.根据权利要求1所述的非均质材料，其还包含贵金属，所述贵金属与所述第一金属氧化物化合物和所述第二金属氧化物化合物处于离子电荷连通。
3.根据权利要求2所述的非均质材料，其中所述贵金属是铑、钌、钯、银、锇、铂或金。
4.根据权利要求1所述的非均质材料，其还包含第二n型半导体，其中所述第二n型半导体的至少一部分是与所述p型半导体离子电荷分离的。
5.根据权利要求4所述的非均质材料，其中所述第二n型半导体包含铈氧化物。
6.根据权利要求5所述的非均质材料，其中所述铈氧化物是CeO2。
7.根据权利要求4所述的非均质材料，其中所述第二n型半导体包含多相TiO2。
8.根据权利要求1所述的非均质材料，其中所述p型半导体实质上均匀分散在所述n型半导体上。
9.根据权利要求1所述的非均质材料，其中所述p型半导体的形式为具有100nm或更小的粒径的颗粒。
10.根据权利要求1所述的非均质材料，其中铜(I)：铜(II)的比例在10:90到30:70之间。
11.分解污染物的方法，所述方法包括：在光存在下，使所述污染物暴露于光催化剂，所述光催化剂包含根据权利要求1所述的非均质材料。
12.杀灭微生物的方法，所述方法包括：在光存在下，使所述微生物暴露于光催化剂，所述光催化剂包含根据权利要求1所述的非均质材料，所述微生物为细菌或病毒。
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