[发明专利]底层填充材料、密封片材及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种底部填充材料，

其热固化处理前的雾度为70％以下，

且在175℃下经1小时热固化处理后的储能弹性模量E'[MPa]及热膨胀系数α[ppm/K]在25℃下满足下述式(1)，

10000＜E'×α＜250000[Pa/K](1)。

2.如权利要求1所述的底部填充材料，其中，

作为40～100℃下的粘度而具有达到20000Pa·s以下的区域，

100～200℃下的最低粘度为100Pa·s以上。

3.一种密封片材，其具备：

具有基材及设置于该基材上的粘合剂层的粘合带；以及

层叠在所述粘合剂层上的权利要求1或2所述的底部填充材料。

4.如权利要求3所述的密封片材，其中，

所述底部填充材料的自所述粘合带的剥离力为0.03～0.10N/20mm。

5.如权利要求3或4所述的密封片材，其中，

所述底部填充材料在25℃下的断裂延伸率为10％以上且800％以下。

6.如权利要求3～5中任一项所述的密封片材，其中，

所述粘合带为半导体晶片的背面研削用胶带或切割胶带。

7.一种半导体装置的制造方法，其为制造具备被粘物、与该被粘物电连接的半导体元件、及填充于该被粘物与该半导体元件之间的空间的底部填充材料的半导体装置的制造方法，

所述半导体装置的制造方法包括：

准备在所述半导体元件上贴合有权利要求1～3中任一项所述的底部填充材料的带有底部填充材料的半导体元件的工序；以及

用所述底部填充材料填充所述被粘物与所述半导体元件之间的空间，并且将所述半导体元件与所述被粘物电连接的连接工序。