[发明专利]八元氧环沸石膜、沸石膜的制造方法、以及八元氧环沸石膜的评价方法

权利要求书

1.一种八元氧环沸石膜，其CF₄的透过速度除以CO₂的透过速度得到的值在0.015以下，所述八元氧环沸石膜为DDR型沸石膜或AEI型沸石膜，

所述八元氧环沸石膜通过如下制造方法制造：所述在多孔体的表面附着沸石晶种前，作为前处理，将所述多孔体在氧存在下进行400℃以上的加热处理，在所述加热处理后，将所述多孔体在湿度30％以上的环境下保存12小时以上，然后，使所述沸石晶种附着于所述多孔体。

2.根据权利要求1所述的八元氧环沸石膜，其中，其含有结构导向剂的状态下的N₂透过速度在0.001NL/(m²·min·kPa)以下。

3.一种陶瓷分离膜结构体，其在多孔体的表面上配设有权利要求1或2所述的八元氧环沸石膜。

4.一种沸石膜的制造方法，在多孔体的表面附着沸石晶种前，作为前处理，将所述多孔体在氧存在下进行400℃以上的加热处理，然后，使所述沸石晶种附着于所述多孔体，制造沸石膜，其中，

所述沸石膜为八元氧环沸石膜，

所述八元氧环沸石膜为DDR型沸石膜或AEI型沸石膜，所述沸石晶种为DDR型沸石晶种或AEI型沸石晶种，

在所述加热处理后，将所述多孔体在湿度30％以上的环境下保存12小时以上，然后，使所述沸石晶种附着于所述多孔体。

5.根据权利要求4所述的沸石膜的制造方法，其中，从所述沸石膜中除去结构导向剂，所述沸石膜在含有结构导向剂的状态下的N₂透过速度在0.001NL/(m²·min·kPa)以下。

6.根据权利要求4所述的沸石膜的制造方法，其中，在将要形成有所述八元氧环沸石膜的所述多孔体的表面附着多于0.05g/m²的八元氧环沸石晶种后，在原料溶液中，形成所述八元氧环沸石膜，所述原料溶液含有(a)～(d)中任意一项和结构导向剂：(a)二氧化硅源、水，(b)二氧化硅源、氧化铝源、水，(c)氧化铝源、磷源、水，(d)二氧化硅源、氧化铝源、磷源、水。

7.根据权利要求4所述的沸石膜的制造方法，其中，相对于将要形成有所述八元氧环沸石膜的所述多孔体表面的平均孔径，使平均粒径为该平均孔径1.5～3.0倍的八元氧环沸石晶种附着于所述多孔体的表面，形成所述八元氧环沸石膜。

8.根据权利要求4所述的沸石膜的制造方法，其中，将要形成有所述八元氧环沸石膜的所述多孔体表面的平均孔径为70～150nm，八元氧环沸石晶种的平均粒径为105～450nm。

9.一种八元氧环沸石膜，其根据权利要求4～8任意一项所述的沸石膜的制造方法制造。

10.一种陶瓷分离膜结构体，其在多孔体的表面上配设有权利要求9所述的八元氧环沸石膜，所述八元氧环沸石膜为DDR型沸石膜或AEI型沸石膜。