[发明专利]底部填充用粘接膜、背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜、切割胶带一体型底部填充用粘接膜以及半导体装置在审
申请号: | 201480020067.X | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN105103280A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 盛田浩介;高本尚英;花园博行;福井章洋 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B32B27/38;B32B27/42;C09J7/00;C09J121/00;C09J161/04;C09J163/00;H01L21/301;H01L21/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底部 填充 用粘接膜 背面 研削用 胶带 体型 切割 以及 半导体 装置 | ||
1.一种底部填充用粘接膜,其含有树脂成分,所述树脂成分包含数均分子量为600以下的环氧树脂、数均分子量超过500的酚醛树脂以及弹性体,
所述树脂成分中的所述环氧树脂的含量为5~50重量%,所述酚醛树脂的含量为5~50重量%。
2.根据权利要求1所述的底部填充用粘接膜,其中,所述酚醛树脂的羟基当量为200g/eq以上。
3.根据权利要求1或2所述的底部填充用粘接膜,其中,所述酚醛树脂含有由式(I)所表示的骨架,
式中,n表示整数。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的底部填充用粘接膜,其中,所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的底部填充用粘接膜,其中,所述树脂成分中的所述弹性体的含量为10~40重量%。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的底部填充用粘接膜,其中,所述弹性体为丙烯酸类树脂。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的底部填充用粘接膜,其中,在40~100℃的条件下测定粘度时,存在达到20000Pa·s以下的温度,
100~200℃的条件下的最低粘度为100Pa·s以上。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的底部填充用粘接膜,其中,所述底部填充用粘接膜中含有30~70重量%的无机填充剂。
9.一种背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜,其具备权利要求1~8中任一项所述的底部填充用粘接膜和背面研削用胶带,
所述底部填充用粘接膜被设置在所述背面研削用胶带上。
10.一种切割胶带一体型底部填充用粘接膜,其具备权利要求1~8中任一项所述的底部填充用粘接膜和切割胶带,
所述底部填充用粘接膜被设置在所述切割胶带上。
11.一种半导体装置,其是使用权利要求1~8中任一项所述的底部填充用粘接膜制作的。
12.一种半导体装置,其是使用权利要求9所述的背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜制作的。
13.一种半导体装置,其是使用权利要求10所述的切割胶带一体型底部填充用粘接膜制作的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造