[发明专利]先进热补偿表面声波器件及其制造方法

权利要求书

1.一种表面声波器件(20、30)的制造方法，所述方法包括下述步骤：

(a)提供压电结构(200、300)；

(b)提供介电结构(260、360)；

其特征在于，步骤(b)包括将介电结构金属化(S22、S32)的步骤(b1)，以形成金属化的介电结构(231、331)，

并且所述方法进一步包括下述步骤：

(c)将金属化的介电结构(231、331)键合(S24、S34)至压电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤(b1)以形成交叉电极结构(611)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，交叉电极结构(611)具有低于100nm的间距，并且介电结构(260)显示出的介电常数适合于允许高于100V的击穿电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过金属沉积来执行步骤(b1)(S22)，并且步骤(b)包括在形成温度下在金属沉积之前形成介电层(220)的步骤，所述形成温度大于沉积的金属在介电层(220)或压电结构(200)中的扩散温度，具体地，所述形成温度大于350℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过金属沉积来执行步骤(b1)(S22)，并且步骤(b)包括在形成温度下在金属沉积之前形成介电层(220)的步骤，所述形成温度大于沉积的金属在介电层(220)或压电结构(200)中的扩散温度，具体地，所述形成温度大于850℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过金属沉积来执行步骤(b1)(S22)，并且步骤(b)包括在形成温度下在金属沉积之前形成介电层(220)的步骤，所述形成温度大于沉积的金属在介电层(220)或压电结构(200)中的扩散温度，具体地，所述形成温度大于1200℃。

7.根据权利要求4至6中的任一项所述的方法，其中，沉积的金属选自：Au、Pt、Cu、Al、Mo、W。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，介电结构(260)包括介电层(200)，所述介电层由选自下列材料的材料制备：SiO₂、SiN、SiON、SiOC、SiC、DLC或氧化铝。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，介电结构(260)包括介电层(200)，所述介电层是在高于800℃的温度下形成的热生长的氧化硅。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，介电结构(260)包括介电层(200)，所述介电层是在高于1050℃的温度下形成的热生长的氧化硅。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，介电结构(260)包括介电层(200)，所述介电层由高k介电材料制备。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，介电层(200)选自硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪和二氧化锆。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(b1)(S22)包括下列步骤：

·在介电结构(200、5601)的表面上局部刻蚀(S21)凹陷；

·在凹陷中进行金属沉积。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，步骤(b1)(S32)进一步包括在凹陷中进行金属沉积之前并且在介电结构(360)的表面上局部刻蚀(S31)凹陷之后形成钝化层的步骤(S39)。

15.根据权利要求13或权利要求14中的任一项所述的方法，步骤(b1)进一步包括提供在沉积在凹陷中的金属与介电结构的未刻蚀部分之间的齐平表面的步骤(b2)(S431、S432)，所述步骤(b2)通过对介电结构的凸起部分或沉积的金属的凸起部分进行抛光和/或刻蚀来执行。