[发明专利]电阻式随机存取存储器以及存储及检索电阻式随机存取存储器的信息的方法

权利要求书

1.一种存储及检索X个存储器单元的电阻式随机存取存储器RRAM阵列的数据的方法，所述方法包括：

形成各自包含Y个经耦合的存储器单元的个别存储器位，其中Y为大于1的整数，且借此形成具有不超过X/Y个存储器位的所述RRAM阵列；在读取及写入操作期间，每一存储器位的所述Y个经耦合的存储器单元并联排列以使得通过存储器位的电流是在所述存储器位内的所述Y个经耦合的存储器单元的电流的经总计总数，且每一存储器位的所述Y个经耦合的存储器单元维持在彼此共同的电阻状态中；具有Y个存储器单元的所述存储器位与具有仅单一存储器单元的存储器位相比提供增强的可靠性；且其中所述存储器位经配置以相对于彼此单独地编程；及

相对于所述存储器位中的其它者单独地编程所述存储器位中的一或多者，编程每一存储器位包括通过成对字线与单个位线的组合或成对位线与单个字线的组合中的一者来寻址所述存储器位的所述Y个经耦合的存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中存储器位的所述Y个存储器单元被同时读取。

3.根据权利要求1所述的方法，其中存储器位的所述Y个存储器单元被实质上同时编程。

4.根据权利要求1所述的方法，其中存储器位的所述Y个存储器单元被不同时地编程及/或读取。

5.根据权利要求1所述的方法，其中Y为二。

6.根据权利要求5所述的方法，其中通过字线及位线的组合唯一地寻址每一存储器单元。

7.根据权利要求1所述的方法，其中Y大于二。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻式随机存取存储器包括相变存储器。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻式随机存取存储器包括多价金属氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻式随机存取存储器包括导电桥接随机存取存储器。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻式随机存取存储器RRAM包括二元氧化物。

12.一种电阻式随机存取存储器，其包括：

包括可编程材料的多个存储器单元；所述可编程材料具有可选择地可互换的电阻状态；通过位线/字线组合唯一地寻址所述存储器单元中的每一者；及

包括多个存储器单元的存储器位，所述多个存储器单元并联排列且耦合在一起，从而使得通过存储器位的电流是在所述存储器位内的所述多个存储器单元的电流的经总计总数；每一存储器位内的所述耦合的存储器单元处于彼此相同的电阻状态中，所述存储器单元通过成对位线与单个字线的组合或成对字线与单个位线的组合中的一者来寻址。

13.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中所述存储器位包括成对的存储器单元。

14.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其在每一存储器位中包括两个以上耦合的存储器单元。

15.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中所述电阻式随机存取存储器包括相变存储器。

16.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中所述电阻式随机存取存储器包括多价金属氧化物。

17.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中所述电阻式随机存取存储器包括导电桥接随机存取存储器。

18.根据权利要求12所述的电阻式随机存取存储器，其中所述电阻式随机存取存储器包括二元氧化物。