[发明专利]近红外截止滤光片及包括近红外截止滤光片的固态摄像装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有新型结构的近红外截止滤光片及包括该近红外截止滤光片的固态摄像装置。

背景技术

摄像机是利用CMOS传感器将光转变成电信号来呈现图像。为了能让摄像机实现由高像素趋势所带来的高画质图像的呈现，在摄像头主体上采用新研发出来的BSI式（BackSideIlluminatedtype，背面照射型）CMOS传感器来代替现在普遍应用的FSI式（FrontSideIlluminatedtype，表面照射型）CMOS传感器。FSI式CMOS传感器是由于在光电二极管（photodiode，PD）的上面形成电路，导致发生光被部分遮挡的现象。鉴于此，BSI式CMOS传感器将电路放置在光电二极管的下面，以增强与光的接触，从而图像的亮度比FSI式CMOS传感器提高了70%或以上。因此，通常800万象素或以上的摄像机会采用BSI式CMOS传感器。

BSI式CMOS传感器之所以拥有上述优点是因为，与FSI式CMOS传感器相比，能使更多的入射光到达光电二极管。能有更多的入射光到达光电二极管的原因在于，通过改善结构而能接收那些入射角相对较大的的光。

在通过改善结构而使摄像机的光电二极管接收更多的入射光的过程中，入射光的入射角的范围会变宽。然而，随着入射光的入射角变大，会引起色差的产生。

发明内容

技术问题

一方面，本发明在于提供一种近红外截止滤光片，以消除由入射光的入射角产生的色差。

另一方面，本发明在于提供一种包括上述近红外截止滤光片的固态摄像装置。

技术方案

为了实现本发明的目的，本发明一个实施例的近红外截止滤光片符合以下条件（A）和（B）：

（A）在380nm或以上的波长范围内对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为70%的最短波长（La）与在小于或等于430nm的波长范围内对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为30%的最长波长（Lb）之差的绝对值小于或等于25nm；及

（B）在380~430nm的波长范围内，对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为50%的波长（Ma）与对相对于近红外截止滤光片的垂直方向呈30度角入射的光的透过率为50%的波长（Mb）之差的绝对值小于或等于10nm。

根据本发明的另一实施例，本发明提供一种包括所述近红外截止滤光片的固态摄像装置。

有益效果

所述近红外截止滤光片不会降低可见光范围的透光率，同时可以防止由光的入射角引起的透光光谱的偏移现象。

附图说明

图1和图2为展示了本发明一个实施例的近红外截止滤光片的叠层结构的截面图。

图3为展示了本发明一个实施例的近红外截止滤光片的叠层结构的截面图。

图4为展示了根据对比实施例的近红外截止滤光片的叠层结构的截面图。

图5为展示了本发明一个实施例的近红外截止滤光片的透光光谱的图表。

图6为展示了根据对比实施例的近红外截止滤光片的透光光谱的图表。

具体实施方式

下面，将说明本发明的近红外截止滤光片。

在一个实施例中，本发明的近红外截止滤光片的特征在于，符合以下条件（A）和（B）。

（A）在380nm或以上的波长范围内对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为70%的最短波长（La）与在小于或等于430nm的波长范围内对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为30%的最长波长（Lb）之差的绝对值（|La-Lb|）可以小于或等于25nm，小于或等于20nm，更具体地小于或等于5nm。例如，所述近红外截止滤光片的La与Lb之差的绝对值可以为1~25nm。

当所述近红外截止滤光片的La与Lb之差的绝对值在上述范围内时，在紫外线波长范围附近的波长La和Lb之间的透过率会发生急剧变化，借此可以提高紫外线截止效率。此外，可以降低在紫外线范围内近红外截止滤光片对吸收波长的入射角的依赖性，且提供良好的视角。

（B）在380~430nm的波长范围内，具体在400~430nm的波长范围内，对垂直入射于近红外截止滤光片的光的透过率为50%的波长（Ma）与对相对于近红外截止滤光片的垂直方向呈30度角入射的光的透过率为50%的波长（Mb）之差的绝对值可以小于或等于10nm，小于或等于8nm，更具体为小于或等于5nm。例如，所述近红外截止滤光片的Ma与Mb之差的绝对值可以为1~10nm。