[发明专利]具备HEMT即高电子迁移率晶体管的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有常断型的HEMT即高电子迁移率晶体管，该常断型的HEMT具备：

第1半导体层(4)；

第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成基于异质结的第1二维电子气层(6a)；

栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；

绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及

栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上；

所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度，

所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置，

在对所述栅极电极施加了规定阈值以上的栅极电压时，在所述第2半导体层中，基于所述栅极电压的第2二维电子气层(6b)以与所述第1二维电子气层的一部分重叠的状态被生成，

所述栅槽为如下阶梯状：所述栅槽的开口部侧的一部分栅槽的宽度为开口部的宽度且一定，所述栅槽的底部侧的另一部分栅槽的宽度为底面的宽度且一定，所述阶梯状的构造相对于所述栅槽的底部设置在两侧。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述栅槽到达所述第2半导体层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述栅槽的底面到达所述第2半导体层，

所述绝缘膜覆盖栅槽的底面以及侧面，

所述栅极电极通过绝缘膜沿所述栅槽的底面以及侧面配置。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

第1二维电子气层形成于所述第1半导体层之下的第2半导体层内，

第2二维电子气层形成于栅槽的底面之下的第2半导体层内以及栅槽的一部分的侧面之下的第2半导体层内，

第2二维电子气层与第1二维电子气层在栅槽的底面与侧面的边界附近重叠。